[发明专利]一种晶体切割方法

说明书

技术领域

本发明涉及晶体切割技术领域，更具体涉及一种晶体切割方法。

背景技术

人工晶体在生长完成后，需按照使用要求切割成器件才能使用。晶体切割，就是按照加工所要求的晶体切割方向切割晶体，把晶体切割成所需要的尺寸和形状，以便于加工器件。传统的切割方法，首先对晶体进行测量，然后对晶体定向，找出切割基准面。在此基础上，按照使用要求，确定切割角度和切割位置。虽然晶体生长遵守面角守恒定律，但实际生长出的晶体受生长方法、生长工艺、籽晶方向等因素影响，晶体形貌呈现出千差万别。难以精确测量晶体的形貌，常常导致切割出的晶体形状和尺寸与预想的有差异，特别是在大尺寸器件的切割中尤为明显。

发明内容

(一)要解决的技术问题

本发明要解决的技术问题是如何提高晶体切割精度，提高晶体利用率。

(二)技术方案

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种晶体切割方法，所述方法包括以下步骤：

S1、利用单晶定向仪对待切割晶体进行定向，掌握晶体的方向信息；

S2、利用三维扫描仪对待切割的晶体进行扫描，获得晶体各个晶面的精确三维尺寸、晶面角度和晶面分布的数据信息；

S3、将步骤S2得到的晶体的数据信息输入晶体切割模拟软件进行编辑；

S4、在步骤S3中所述的晶体切割模拟软件中对晶体进行模拟切割，获知切割后的晶体的数据信息，与所需晶体数据比对，直到切割出符合要求的晶体为止，根据模拟结果制定出切割方案；

S5、在待切割的晶体上切割出一个基准面，对基准面进行定向测量，如果误差小于误差范围的要求，则进入下一步骤，如果误差范围超过误差范围要求，则需重新切割基准面，直至满足要求；

S6、依照步骤S4制定出的切割方案对晶体进行切割，切割完成后对晶面进行定向测量。

优选地，所述步骤S3中的晶体切割模拟软件为solidwork软件。

优选地，所述三维扫描仪为接触式三维扫描仪或非接触式三维扫描仪。

(三)有益效果

本发明提供了一种晶体切割方法，可实现在晶体切割前对切割方案进行模拟，以实现精确切割，提高晶体的利用率，尤其在大尺寸器件切割中，能最大化利用晶体；与传统生长方法相比，具有利用率高、切割精度高、降低成本消耗等优点。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为按照本发明的一种晶体切割方法的切割示意图；

图2为按照本发明的一种晶体切割方法的切割结果示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不能用来限制本发明的范围。

图1为按照本发明的一种晶体切割方法的切割示意图；本发明公开了一种晶体切割方法，所述方法包括以下步骤：

S1、利用单晶定向仪对待切割晶体进行定向，掌握晶体的方向信息；

S2、利用三维扫描仪对待切割的晶体进行扫描，获得晶体各个晶面的精确三维尺寸、晶面角度和晶面分布的数据信息；

S3、将步骤S2得到的晶体的数据信息输入晶体切割模拟软件进行编辑；

S4、在步骤S3中所述的晶体切割模拟软件中对晶体进行模拟切割，获知切割后的晶体的数据信息，与所需晶体数据比对，直到切割出符合要求的晶体为止，根据模拟结果制定出切割方案；

S5、在待切割的晶体上切割出一个基准面，对基准面进行定向测量，如果误差小于误差范围的要求，则进入下一步骤，如果误差范围超过误差范围要求，则需重新切割基准面，直至满足要求；

S6、依照步骤S4制定出的切割方案对晶体进行切割，切割完成后对晶面进行定向测量。

上述步骤S3中的晶体切割模拟软件为solidwork软件。上述三维扫描仪为接触式三维扫描仪或非接触式三维扫描仪。

实施例1

要求对C向籽晶生长的LBO晶体切割出应用于OPCPA的器件。器件角度为θ＝90°，Φ＝13.85°。切割步骤如下：

(1)利用单晶定向仪对待切割晶体进行定向，掌握晶体的方向信息；

(2)利用三维扫描仪对待切割的晶体进行扫描，获得晶体各个晶面的精确三维尺寸、晶面角度和晶面分布等信息；