[发明专利]一种用于MASSON快速热处理机台的温度校准的方法

说明书

技术领域

本发明涉及热处理技术领域，具体地，涉及一种用于MASSON快速热处理机台的温度校准的方法。

背景技术

MASSON快速热处理机台是一种常用热处理设备。在该机台上既可以进行高温(大于900℃)热处理工艺，也可以进行低温(小于或等于900℃)热处理工艺。MASSON快速热处理机台中存在灯管衰减、高温计损坏等问题，影响机台的稳定性。在热处理工艺过程中，特别是对温度敏感的热处理工艺，热处理机台的温度校准非常重要。因此，经常需要对热处理机台进行温度校准。

当前一般通过根据不同温度段对某个注入条件的敏感度不同来调节温度，在当前的温度校准方法中，注入加退火(IMP+RTP)是一种值得信赖的手段，但由于其成本很高，效率很低，并且调节的温度范围较小，因此具有一定的局限性。事实上，在低温菜单的校准中，有沉积金属加退火(DEP METAL+RTA)的手段，但由于对温度的敏感度较小，难于实现温度校准的准确性。

因此，有必要提出用于MASSON快速热处理机台的温度校准的方法，以解决现有技术中存在的问题。

发明内容

为了解决现有技术中存在的问题，本发明提供一种用于MASSON快速热处理机台的温度校准的方法。所述方法包括：a)提供参考机台、待校准机台和校准基片，其中，所述参考机台和所述待校准机台内分别设置有第一高温计和第二高温计，所述校准基片上设置有用于测量所述校准基片的温度的热电偶；b)将所述校准基片放置在所述参考机台内；c)在预定热处理菜单下对所述校准基片进行热处理，并通过所述热电偶测量所述校准基片的第一温度曲线；d)将所述校准基片放置在所述待校准机台内，并将所述预定热处理菜单复制到所述待校准机台，以在所述待校准机台内在所述预定热处理菜单下对所述校准基片进行热处理；e)在所述待校准机台的校温菜单内根据所述第二高温计和所述热电偶测得的温度曲线绘制校温曲线；以及f)在所述待校准机台的调节菜单内调整所述校温曲线的偏移量，以使所述热电偶测量的所述校准基片的第二温度曲线与所述第一温度曲线在热处理的主工艺阶段匹配，得到校准后的热处理菜单。

优选地，所述校准基片在所述参考机台内进行的热处理工艺和在所述待校准机台内进行的具有相同的初始条件。

优选地，所述方法在所述f)步骤之前还包括：确定所述偏移量与主工艺温度的改变之间的对应关系；以及根据调整前的第二温度曲线与所述第一温度曲线在所述主工艺阶段之间的差值来设置所述偏移量。

优选地，所述方法还包括：建立所述偏移量与所述主工艺温度的改变之间的对应关系的数据库，所述数据库包括在不同的所述主工艺温度和不同的所述热电偶的初始温度条件下的多个对应关系。

优选地，在低温热处理工艺中，所述偏移量每改变1度，所述主工艺温度改变1度。

优选地，在高温热处理工艺中，所述偏移量每改变1度，所述主工艺温度改变1.2-1.5度。

优选地，所述方法在所述f)步骤之后，还包括验证所述第二温度曲线在所述主工艺阶段是否与目标温度曲线匹配。

优选地，所述验证的方法包括：提供验证基片，所述验证基片内形成有注入层；将所述验证基片放置在所述待校准机台中，运行所述校准后的热处理菜单对所述验证基片进行热处理；以及检测所述验证基片在不同的主工艺温度下的电阻率，并通过所述电阻率计算所述主工艺的实际温度。

优选地，在所述f)步骤中在执行相邻的两次热处理之间还包括将所述待校准机台的腔体打开两次。

优选地，两次开启所述待校准机台的所述腔体之间的时间间隔为5s～15s。

根据本发明的用于MASSON快速热处理机台的温度校准的方法通过调整校温曲线的偏移量，以使热电偶测量的待校准机台上的校准基片的第二温度曲线与在参考机台上的校准基片的第一温度曲线在热处理的主工艺阶段匹配，得到校准后的热处理菜单。该校准方法适用于高温热处理工艺和第二热处理工艺，校准效率高。此外，校准基片可重复利用，成本低。

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

以下结合附图，详细说明本发明的优点和特征。

附图说明

本发明的下列附图在此作为本发明的一部分用于理解本发明。附图中示出了本发明的实施例及其描述，用来解释本发明的原理。在附图中，