[发明专利]一种用于MASSON快速热处理机台的温度校准的方法

权利要求书

1.一种用于MASSON快速热处理机台的温度校准的方法，用于实现待校准机台的热处理菜单的校准，其特征在于，所述方法包括：

a)提供参考机台、待校准机台和校准基片，其中，所述参考机台和所述待校准机台内分别设置有第一高温计和第二高温计，所述校准基片上设置有用于测量所述校准基片的温度的热电偶；

b)将所述校准基片放置在所述参考机台内；

c)在预定热处理菜单下对所述校准基片进行热处理，并通过所述热电偶测量所述校准基片的第一温度曲线；

d)将所述校准基片放置在所述待校准机台内，并将所述预定热处理菜单复制到所述待校准机台，以在所述待校准机台内在所述预定热处理菜单下对所述校准基片进行热处理；

e)在所述待校准机台的校温菜单内根据所述第二高温计和所述热电偶测得的温度曲线绘制校温曲线；以及

f)在所述待校准机台的调节菜单内调整所述校温曲线的偏移量，以使所述热电偶测量的所述校准基片的第二温度曲线与所述第一温度曲线在热处理的主工艺阶段匹配，得到校准后的热处理菜单。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述校准基片在所述参考机台内进行的热处理工艺和在所述待校准机台内进行的具有相同的初始条件。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法在所述f)步骤之前还包括：

确定所述偏移量与主工艺温度的改变之间的对应关系；以及

根据调整前的第二温度曲线与所述第一温度曲线在所述主工艺阶段之间的差值来设置所述偏移量。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

建立所述偏移量与所述主工艺温度的改变之间的对应关系的数据库，所述数据库包括在不同的所述主工艺温度和不同的所述热电偶的初始温度条件下的多个对应关系。

5.如权利要求3所述的方法，其特征在于，在低温热处理工艺中，所述偏移量每改变1度，所述主工艺温度改变1度。

6.如权利要求3所述的方法，其特征在于，在高温热处理工艺中，所述偏移量每改变1度，所述主工艺温度改变1.2-1.5度。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法在所述f)步骤之后，还包括验证所述第二温度曲线在所述主工艺阶段是否与目标温度曲线匹配。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述验证的方法包括：

提供验证基片，所述验证基片内形成有注入层；

将所述验证基片放置在所述待校准机台中，运行所述校准后的热处理菜单对所述验证基片进行热处理；以及

检测所述验证基片在不同的主工艺温度下的电阻率，并通过所述电阻率计算所述主工艺的实际温度。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述f)步骤中在执行相邻的两次热处理之间还包括将所述待校准机台的腔体打开两次。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，两次开启所述待校准机台的所述腔体之间的时间间隔为5s～15s。