[发明专利]一种高效多晶硅锭的制备方法有效
申请号: | 201410185709.3 | 申请日: | 2014-05-05 |
公开(公告)号: | CN104032368A | 公开(公告)日: | 2014-09-10 |
发明(设计)人: | 刘明权;王禄宝;施文周;司荣进 | 申请(专利权)人: | 镇江环太硅科技有限公司 |
主分类号: | C30B28/06 | 分类号: | C30B28/06;C30B29/06 |
代理公司: | 上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258 | 代理人: | 季萍 |
地址: | 212200 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高效 多晶 制备 方法 | ||
1.一种高效多晶硅锭的制备方法,其特征在于,所述方法步骤如下:(1)将硅溶胶与高纯石英砂料浆按5︰5-7︰3的质量比混合均匀形成混合浆料,将混合浆料刷涂在多晶硅铸锭炉的坩埚的内底部形成粘结层;(2)再将形核源刷涂或洒涂在所述粘结层上形成形核源层,所述形核源的粒度为30-100目,形核源层的厚度为1-2mm;(3)然后在500-700℃下烘干2-4h;(4)再在形核源层的上层及坩埚的内侧壁刷涂氮化硅涂层;(5)然后再在位于形核源层上方的氮化硅涂层上铺设一层形核源保护层,以防止形核源在装料过程中遭到破坏,所述形核源保护层由完整的片状废硅料铺设而成,所述保护层的厚度为1-20mm;(6)向坩埚内装载固体硅料,关闭多晶硅铸锭炉的保温罩,加热坩埚至1530-1560℃直至固体硅料完全熔化成硅液;(7)通过调整多晶硅铸锭炉的加热功率来控制坩埚内部的温度梯度,使得坩埚内部形成由底部向上的垂直温度梯度,打开保温罩,将保温罩升高5-8cm,将多晶铸锭的顶部中央区域温度(TC1)降低至1420-1432℃,使得坩埚底部温度降低,坩埚底部硅液处于过冷状态,利用形核源层形核结晶从而得到高效多晶硅锭,所述形核结晶过程中过冷度控制在-10~-35K。
2.如权利要求1所述的一种高效多晶硅锭的制备方法,其特征在于,所述硅溶胶的固含量为40-41%,粒径为25-29nm。
3.如权利要求1所述的一种高效多晶硅锭的制备方法,其特征在于,所述高纯石英砂料浆的固含量为80-85%,所含高纯石英砂的粒度为300-400目。
4.如权利要求1所述的一种高效多晶硅锭的制备方法,其特征在于,所述形核源选自高纯石英砂或高纯氮化硅中的一种或两者的混合物,所述形核源的粒度为30-100目。
5.如权利要求1所述的一种高效多晶硅锭的制备方法,其特征在于,所述形核源选自高温下不与硅发生反应的硅系材料。
6.如权利要求1所述的一种高效多晶硅锭的制备方法,其特征在于,所述氮化硅涂层中氮化硅与水的质量比为1︰3。
7.如权利要求1所述的一种高效多晶硅锭的制备方法,其特征在于,所述完整的片状废硅料为完整的单晶8寸硅片、完整的多晶8寸硅片或完整的12寸电子级晶圆片中的一种或几种。
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