[发明专利]带有应变源的GeSn量子阱红外发光器

权利要求书

1.一种带有应变源的GeSn量子阱红外发光器，其特征在于，包括：

一弛豫层（102），生长在硅衬底（101）之上；

一有源区（103），为单晶GeSn材料，位于弛豫层（102）之上；

一第一应变源（105），为单晶n⁺型SiGe材料，与第二应变源（106），为单晶p⁺型SiGe材料，它们位于弛豫层（102）之上，并成对分布于有源区（103）四周区域；

一第一电极（107），与第一应变源（105）相连；

一第二电极（108），与第二应变源（106）相连；

其中应变源材料的晶格常数比有源区材料的晶格常数小；应变源材料的带隙比有源区材料的带隙宽。

2.如权利要求1所述的带有应变源的GeSn量子阱红外发光器，其特征在于，所述有源区的单晶GeSn材料通式为Ge_1-xSn_x（0≤x≤0.25）。

3.如权利要求1所述的带有应变源的GeSn量子阱红外发光器，其特征在于，所述应变源区域为单晶SiGe材料，通式为Si_1-xGe_x（0≤x≤0.4）。

4.如权利要求1、2或3所述的带有应变源的GeSn量子阱红外发光器，其特征在于，所述有源区（103）为方形柱，所述第一应变源（105）和第二应变源（106）以有源区（103）为中心，分布在水平四个方向上，且相邻两个方向的应变源为一对，材料相同。

5.如权利要求4所述的带有应变源的GeSn量子阱红外发光器，其特征在于，所述第一应变源（105）和第二应变源（106）均为水平分布的长条形，电极连接在应变源的外端。

6.如权利要求5所述的带有应变源的GeSn量子阱红外发光器，其特征在于，所述有源区（103）为方形柱，第一应变源（105）和第二应变源（106）与有源区（103）连接的端面与有源区形状相同，且四个应变源互不接触。

7. 如权利要求1-6之任一项所述的带有应变源的GeSn量子阱红外发光器，其特征在于，其中应变源通过半导体外延生长技术生长在有源区四周区域。