[发明专利]电子设备

说明书

一种半导体存储器可以包括：第一层叠结构，其包括设置在衬底之上并沿着第一方向延伸的第一字线、设置在第一字线之上并沿着与第一方向交叉的第二方向延伸的第一位线、以及插入在第一字线和第一位线之间的可变电阻层；以及第二层叠结构，其包括设置在第一层叠结构之上并沿着第二方向延伸的第二位线、设置在第二位线之上并沿着第一方向延伸的第二字线、以及插入在第二字线和第二位线之间的第二可变电阻层；以及第一选择元件层，被插入在第一位线和第二位线之间。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2013年9月25日提交的申请号为10-2013-0113869、发明名称为“电子设备”的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本专利文件涉及存储器电路或设备及其在电子设备或系统中的应用。

背景技术

近来，随着电子装置趋向于小型化、低功耗、高性能、多功能性等，本领域中已需要能够在诸如计算机、便携式通信设备等的各种电子装置中储存信息的半导体器件，并且已对半导体器件进行了研究。这种半导体器件包括可以利用根据施加的电压或电流而在不同电阻状态之间切换的特性来储存数据的半导体器件，例如，RRAM(阻变随机存取存储器)、PRAM(相变随机存取存储器)、FRAM(铁电随机存取存储器)、MRAM(磁性随机存取存储器)、电熔丝等。

发明内容

实施例涉及一种能够简化制造工艺的电子设备，从而降低生产成本并提高集成度。

在一个方面中，提供了一种包括半导体存储器的电子设备。半导体存储器可以包括：第一层叠结构，包括设置在衬底之上并沿着第一方向延伸的第一字线、设置在第一字线之上并沿着与第一方向交叉的第二方向延伸的第一位线、以及插入第一字线和第一位线之间的第一可变电阻层；以及第二层叠结构，包括设置在第一层叠结构之上并沿着第二方向延伸的第二位线、设置在第二位线之上并沿着第一方向延伸的第二字线、以及插入在第二字线和第二位线之间的第二可变电阻层；以及第一选择元件层，被插入在第一位线和第二位线之间。

以上设备的实施方式可以包括以下的一种或更多种。

第一可变电阻层和第一选择元件层形成第一存储器单元，第二可变电阻层和第一选择元件层形成第二存储器单元。第一存储器单元由第一字线和第二位线控制，第二存储器单元由第二字线和第一位线控制。当第一存储器单元被控制时，第一位线被浮置，以及当第二存储器单元被控制时，第二位线被浮置。第一选择元件层由NbO₂形成。第一可变电阻层和第二可变电阻层中的每个包括层叠有贫氧金属氧化物层和富氧金属氧化物层的结构，以及第一可变电阻层和第二可变电阻层彼此对称，第一选择元件层插入在它们之间。第一可变电阻层在第一字线和第一位线之间的交叉处具有岛形。第一可变电阻层具有与第一字线或第一位线相同的线形。第二可变电阻层在第二字线和第二位线之间的交叉处具有岛形。第二可变电阻层具有与第二字线或第二位线相同的线形。第一选择元件层具有岛形，同时与第一位线和第一字线之间的交叉处重叠，以及与第二位线和第二字线之间的交叉处重叠。第一选择元件层具有与第一位线和第二位线中的至少一个相同的线形。第一可变电阻层、第二可变电阻层和第一选择元件中的一个或更多个具有板形。第一位线的端部相比于第二位线的端部在第二方向上突出得更多，以及半导体存储器还包括：设置在第一位线的突出端部之上以与第一位线耦接的第一触点；和设置在第二位线的端部之上以与第二位线耦接的第二触点。半导体存储器还包括：第三层叠结构，被设置在第二层叠结构之上，并且包括第二字线、设置在第二字线之上并沿着第二方向延伸的第三位线、以及插入在第二字线和第三位线之间的第三可变电阻层；第四层叠结构，被设置在第三层叠结构之上，并且包括沿着第二方向延伸的第四位线、设置在第四位线之上并沿着第一方向延伸的第三字线、以及插入在第三字线和第四位线之间的第四可变电阻层；以及第二选择元件层，被插入在第三层叠结构和第四层叠结构之间。