[发明专利]电子设备

权利要求书

1.一种电子设备，其包括半导体存储器，

其中，所述半导体存储器包括：

第一层叠结构，包括：设置在衬底之上并沿着第一方向延伸的第一字线、设置在所述第一字线之上并沿着与所述第一方向交叉的第二方向延伸的第一位线、以及插入在所述第一字线和所述第一位线之间的第一可变电阻层；以及

第二层叠结构，包括：设置在所述第一层叠结构之上并沿着所述第二方向延伸的第二位线、设置在所述第二位线之上并沿着所述第一方向延伸的第二字线、以及插入在所述第二字线和所述第二位线之间的第二可变电阻层；以及

第一选择元件层，被插入在所述第一位线和所述第二位线之间。

2.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述第一可变电阻层和所述第一选择元件层形成第一存储器单元，以及

其中，所述第二可变电阻层和所述第一选择元件层形成第二存储器单元。

3.根据权利要求2所述的电子设备，其中，所述第一存储器单元由所述第一字线和所述第二位线控制，以及

其中，所述第二存储器单元由所述第二字线和所述第一位线控制。

4.根据权利要求3所述的电子设备，其中，当所述第一存储器单元被控制时，所述第一位线被浮置，以及

其中，当所述第二存储器单元被控制时，所述第二位线被浮置。

5.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述第一选择元件层由NbO₂形成。

6.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述第一可变电阻层和所述第二可变电阻层中的每个包括层叠有贫氧金属氧化物层和富氧金属氧化物层的结构，以及

其中，所述第一可变电阻层和所述第二可变电阻层相对于插入其之间的所述第一选择元件层彼此对称布置。

7.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述第一可变电阻层在所述第一字线和所述第一位线之间的交叉处具有岛形。

8.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述第一可变电阻层具有线形，并且沿着与所述第一字线或与所述第一位线相同的方向延伸。

9.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述第二可变电阻层在所述第二字线和所述第二位线之间的交叉处具有岛形。

10.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述第二可变电阻层具有线形，并且沿着与所述第二字线或与所述第二位线相同的方向延伸。

11.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述第一选择元件层具有岛形，同时与所述第一位线和所述第一字线之间的交叉处重叠，以及与所述第二位线和所述第二字线之间的交叉处重叠。

12.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述第一选择元件层具有线形，并且沿着与所述第一位线和所述第二位线中的至少一个相同的方向延伸。

13.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述第一可变电阻层、所述第二可变电阻层和所述第一选择元件层中的一个或更多个具有板形。

14.根据权利要求1所述的电子设备，其中，所述第一位线的端部相比于所述第二位线的端部在所述第二方向上更进一步延伸，以及

所述半导体存储器还包括：

第一触点，被设置在所述第一位线的突出端部之上以与所述第一位线耦接；以及

第二触点，被设置在所述第二位线的端部之上以与所述第二位线耦接。