[发明专利]低压差线性稳压器

权利要求书

1.一种低压差线性稳压器，包括：

主电流路径，包括由相反导电类型的第一晶体管和第二晶体管构成的级联结构，该主电流路径的一端作为输入端，另一端作为输出端；

采样电阻网络，连接在输出端和地之间，用于提供输出电压的采样电压；

电荷泵，用于产生第一栅极电压，并且将第一栅极电压提供给第一晶体管的栅极；以及

运算放大器，用于根据采样电压和参考电压产生第二栅极电压，并且将第二栅极电压提供给第二晶体管的栅极，

其中，所述低压差线性稳压器还包括箝位电路，所述箝位电路连接在电荷泵的输出端与运算放大器的供电端之间，用于将第一栅极电压与运算放大器的供电电压之间的电压差维持为恒定值。

2.根据权利要求1所述的低压差线性稳压器，其中，所述恒定值为第一晶体管和第二晶体管的阈值电压之和。

3.根据权利要求1所述的低压差线性稳压器，其中，还包括用于给运算放大器提供电源电压的偏置电路，该偏置电路产生的电源电压与输入端电压弱相关。

4.根据权利要求3所述的低压差线性稳压器，其中，所述偏置电路包括：依次串联连接在输入端和地之间的电流源以及相同导电类型的第三晶体管和第四晶体管，其中在电流源和第三晶体管的中间节点提供电源电压。

5.根据权利要求4所述的低压差线性稳压器，其中，所述第三晶体管和所述第四晶体管中的每一个的栅极与其各自的漏极短接。

6.根据权利要求1所述的低压差线性稳压器，其中，所述箝位电路包括第五晶体管，所述第五晶体管的栅极与其漏极短接。

7.根据权利要求6所述的低压差线性稳压器，其中，所述箝位电路还包括与第五晶体管串联连接并且导电类型相反的第六晶体管，所述第六晶体管的栅极与其漏极短接。

8.根据权利要求7所述的低压差线性稳压器，其中，第五晶体管的导电类型与第一晶体管的导电类型相同，第六晶体管的导电类型与第二晶体管的导电类型相同。

9.根据权利要求7所述的低压差线性稳压器，其中，第五晶体管的工艺参数与第一晶体管的工艺参数相同，第六晶体管的工艺参数与第二晶体管的工艺参数相同。

10.根据权利要求1所述的低压差线性稳压器，其中，所述箝位电路包括齐纳二极管，其中，所述齐纳二极管的正极与运算放大器的供电端相连接，负极与电荷泵的输出端相连接。

11.根据权利要求1所述的低压差线性稳压器，其中，第一晶体管为N型和P型MOSFET中的一种，第二晶体管为N型和P型MOSFET中的另一种。

12.根据权利要求4所述的低压差线性稳压器，其中，第三晶体管和第四晶体管均为N型和P型MOSFET中的一种。

13.根据权利要求7所述低压差线性稳压器，其中，第五晶体管为N型和P型MOSFET中的一种，第六晶体管为N型和P型MOSFET中的另一种。

14.根据权利要求1所述的低压差线性稳压器，其中，采样电阻网络包括串联在输出端和地之间的第一电阻和第二电阻，并且在第一电阻和第二电阻的中间节点提供输出电压的采样电压。

15.根据权利要求1所述的低压差线性稳压器，其中，采样电阻网络包括连接在输出端和地之间的第一电阻，并且在输出端提供输出电压的采样电压。