[发明专利]形成用于场板形成的阶梯式电介质的方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其包括：

半导体衬底；

限定在所述衬底之上的第一场板区域，限定在所述衬底之上的邻近所述第一场板区域的第二场板区域，以及限定在所述半导体衬底之上的邻近所述第二场板区域的第三场板区域；

与所述半导体衬底接触设置的第一电介质层，其中所述第一电介质层的至少一部分在所述第一场板区域、所述第二场板区域以及所述第三场板区域之中的至少一个内是缺失的；

设置在所述第一电介质层和所述半导体衬底之上的第二电介质层；以及

在所述第一场板区域、所述第二场板区域以及所述第三场板区域内设置在所述第一电介质层和所述第二电介质层之上的阶梯式场板，其中：

在所述第一场板区域内所述阶梯式场板与所述半导体衬底之间的单位面积电容比在所述第二场板区域内所述阶梯式场板与所述半导体衬底之间的单位面积电容大至少10％；并且

在所述第二场板区域内所述阶梯式场板与所述半导体衬底之间的单位面积电容比在所述第三场板区域内所述阶梯式场板与所述半导体衬底之间的单位面积电容大至少10％。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一电介质层包括氮化硅。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述阶梯式场板包括晶体管的栅极的栅极场板延伸部。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述阶梯式场板包括晶体管的源极接触件的源极接触件场板延伸部。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其进一步包括：

限定在所述衬底之上的邻近所述第三场板区域的第四场板区域，以及限定在所述衬底之上的邻近所述第四场板区域的第五场板区域；

设置在所述第二电介质层、所述第一电介质层以及所述半导体衬底之上并且在所述阶梯式场板之下的第三电介质层，其中所述第三电介质层的至少一部分在所述第一场板区域、所述第二场板区域、所述第三场板区域以及所述第四场板区域之中的至少一个内是缺失的。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中所述第三电介质层包括多于一个电介质子层。

7.根据权利要求5所述的半导体器件，其中所述第三电介质层包括蚀刻停止子层以及在所述蚀刻停止子层之上的主电介质子层，并且所述第三电介质层的所述缺失部分不包括所述蚀刻停止子层。

8.根据权利要求5所述的半导体器件，其中所述第一电介质层、所述第二电介质层以及所述第三电介质层之中的至少一个的至少一部分在所述第四场板区域内是缺失的。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述半导体器件是氮化镓场效应晶体管即GaN FET。

10.一种半导体器件，其包括：

半导体衬底；

限定在所述衬底之上的第一场板区域，限定在所述衬底之上的邻近所述第一场板区域的第二场板区域，以及限定在所述半导体衬底之上的邻近所述第二场板区域的第三场板区域；

与所述半导体衬底接触设置的第一电介质层，其中所述第一电介质层的至少一部分在所述第一场板区域、所述第二场板区域以及所述第三场板区域之中的至少一个内是缺失的；

设置在所述第一电介质层和所述半导体衬底之上的第二电介质层；以及

在所述第一场板区域、所述第二场板区域以及所述第三场板区域内设置在所述第一电介质层和所述第二电介质层之上的阶梯式场板，其中：

在所述第二场板区域内所述阶梯式场板与所述半导体衬底之间的总电介质厚度比在所述第一场板区域内所述阶梯式场板与所述半导体衬底之间的总电介质厚度大至少10％；以及

在所述第三场板区域内所述阶梯式场板与所述半导体衬底之间的总电介质厚度比在所述第二场板区域内所述阶梯式场板与所述半导体衬底之间的总电介质厚度大至少10％。