[发明专利]阵列基板制备方法和阵列基板、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示领域，尤其涉及一种阵列基板制备方法和阵列基板、显示装置。

背景技术

液晶显示器因其具有体积小、重量轻、低功耗、低电压以及无辐射等特点，已广泛替代了传统CRT显示装置，应用于在生活工作中。

液晶显示器由阵列基板和彩膜基板对盒而成，如图1和图2所示，图1为现有技术中一种阵列基板的平面结构，图2为沿B-B’的剖面结构示意图，在基板7上，顺序形成有栅金属层(包括栅极和图中的栅线8)、栅绝缘层4、有源层5、信号线金属层、像素电极层、钝化层2和公共电极层，信号线金属层包括薄膜晶体管的源极、漏极和图中的数据线6，像素电极层包括图中的像素电极1，公共电极层包括图中的公共电极3。其中，形成有源层5及信号线金属层的图形时可采用半色调掩膜工艺，此过程中因有源层5和信号线金属层材料不同，刻蚀难易程度也不同，结果往往会存在有源层残留(active tail)现象。例如图2所示，显示区域数据线6下方的有源层边缘存在残留，见图中的A区域，而一般而言为避免发生短路及信号干扰等原因，像素电极1需要远离数据线6一定距离，但因该有源层残留区域(即图中A区域)的存在，像素电极1与数据线6之间的距离设计时则需考虑该有源层残留区域的存在，结果导致像素的透光面积减小，开口率下降。

发明内容

本发明实施例提供一种阵列基板制备方法和阵列基板、显示装置，能够解决因有源层残留导致的开口率降低的技术问题。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

一种阵列基板的制备方法，包括：形成栅金属层的工序，所述栅金属层包括栅线；有源层的成膜工序和信号线金属层的成膜工序，所述信号线金属层包括数据线；以及，通过半色调掩膜工艺同时形成有源层图形和信号线金属层图形的工序；在所述有源层的成膜工序之后，所述信号线金属层的成膜工序之前，还包括：通过构图工艺，将所述有源层的第一区域镂空，所述第一区域位于显示区域的数据线下方，且，所述数据线与所述栅线的交叠区域除外。

优选地，还包括在所述栅金属层上方且所述有源层下方形成栅极绝缘层的工序；通过所述构图工艺，除将所述有源层的所述第一区域镂空外，还将栅极绝缘层对应所述第一区域的位置镂空。

优选地，通过所述构图工艺还同步形成栅极绝缘层通孔，所述栅极绝缘层通孔设置在所述阵列基板的边缘，贯穿所述栅极绝缘层和所述有源层。

本发明实施例还提供一种阵列基板，包括：薄膜晶体管、交叠设计的数据线和栅线，所述数据线所在层的图形和所述薄膜晶体管的有源层图形通过半色调掩膜工艺同时形成，除所述数据线与所述栅线的交叠区域外，显示区域的数据线下方对应区域的所述有源层镂空。

优选地，所述薄膜晶体管还包括：栅绝缘层，所述栅极绝缘层位于所述有源层的下方，所述栅线所在层的上方；除所述数据线与所述栅线的交叠区域外，显示区域的数据线下方对应区域的所述栅绝缘层也镂空。

进一步地，上述阵列基板的边缘还设置有：贯穿所述栅极绝缘层和所述有源层的栅极绝缘层通孔。

本发明实施例还提供一种显示装置，包括：上述的任一阵列基板。

本发明实施例提供的阵列基板制备方法和阵列基板、显示装置，在信号线金属层的成膜工序之前，先通过构图工艺，将显示区域数据线下方对应区域(与栅线的交叠区域除外)的有源层镂空，这样后续采用半色调掩膜工艺同时形成有源层图形和信号线金属层图形时，可以避免数据线下方存在有源层残留，使像素电极与数据线之间的距离可进一步减小，从而解决因有源层残留导致的开口率降低的问题，实现更高开口率；同时，数据线下方的有源层镂空，还可降低了数据线处的段差，减小了Rubbing Mura(因取向膜摩擦取向工艺在面板上形成的细条纹状不良)的发生几率，有利于提高良品率和画面品质。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。

图1为现有阵列基板的平面结构示意图；

图2为图1所示阵列基板沿B-B’的剖面结构示意图；

图3为本发明实施例一提供的TN模式阵列基板制备方法流程图；

图4为本发明实施例一提供的ADS模式阵列基板制备方法流程图；

图5为本发明实施例二提供的阵列基板的平面结构示意图；

图6为图5所示阵列基板沿B-B’的剖面结构示意图；