[发明专利]阵列基板制备方法和阵列基板、显示装置有效
| 申请号： | 201410183494.1 | 申请日： | 2014-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN103985671A | 公开（公告）日： | 2014-08-13 |
| 发明（设计）人： | 张文余;谢振宇;郭建 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L23/50;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 阵列 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种阵列基板制备方法，包括：形成栅金属层的工序，所述栅金属层包括栅线；有源层的成膜工序和信号线金属层的成膜工序，所述信号线金属层包括数据线；以及，通过半色调掩膜工艺同时形成有源层图形和信号线金属层图形的工序；其特征在于，在所述有源层的成膜工序之后，所述信号线金属层的成膜工序之前，还包括：
通过构图工艺，将所述有源层的第一区域镂空，
所述第一区域位于显示区域的数据线下方，且，所述数据线与所述栅线的交叠区域除外。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，还包括在所述栅金属层上方且所述有源层下方形成栅极绝缘层的工序；
通过所述构图工艺，除将所述有源层的所述第一区域镂空外，还将栅极绝缘层对应所述第一区域的位置镂空。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，通过所述构图工艺还同步形成栅极绝缘层通孔，所述栅极绝缘层通孔设置在所述阵列基板的边缘，贯穿所述栅极绝缘层和所述有源层。
4.一种阵列基板，包括：薄膜晶体管、交叠设计的数据线和栅线，所述数据线所在层的图形和所述薄膜晶体管的有源层图形通过半色调掩膜工艺同时形成，其特征在于，
除所述数据线与所述栅线的交叠区域外，显示区域的数据线下方对应区域的所述有源层镂空。
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：栅绝缘层，所述栅极绝缘层位于所述有源层的下方，所述栅线所在层的上方；
除所述数据线与所述栅线的交叠区域外，显示区域的数据线下方对应区域的所述栅绝缘层也镂空。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板的边缘还设置有：贯穿所述栅极绝缘层和所述有源层的栅极绝缘层通孔。
7.一种显示装置，其特征在于，包括：权利要求4-6任一项所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
