[发明专利]带有可变验证操作的非易失性存储器(NVM)

说明书

公开了带有可变验证操作的非易失性存储器(NVM)。一种编程/擦除(204,206)非易失性存储器(NVM)阵列(104)的方法，包括：基于所述NVM阵列的温度(112)确定第一数目(NREG)。所述第一数目的编程/擦除脉冲被施加(308)于所述NVM阵列。在开始施加之后已达到所述第一数目之后，首次执行所述NVM的第一验证(304)。

技术领域

本公开通常涉及非易失性存储器(NVM)，更具体地说，涉及执行可变数目验证操作的NVM。

背景技术

典型的非易失性存储器(NVMS)使用电荷泵来生成在编程和擦除操作期间施加于存储器单元的擦除电压。选择用于编程和擦除操作的电压是基于存储器单元阈值电压分布的期望特性和被编程或擦除的单元的编程或擦除性能的。对于给定NVM，对于每一个相关节点，存在用于编程和擦除的确定的电荷泵电压。对于擦除，这通常是存储器单元上的栅极电压和井电压。对于编程，这通常是存储器单元上的栅极电压和漏极电压。

操作周期可以包括例如预编程、擦除、压缩和软编程的模式，电压脉冲序列在此期间被施加于存储器单元。每一个操作周期可以包括验证操作，以确保指定数目的存储器单元处于预期状态。验证操作在每一个电压脉冲序列被施加之后执行。如果单元没有通过验证，那么取决于被执行的特定操作，可以施加更高电压电平的其他电压脉冲序列，直到指定数目的存储器单元处于预期状态。被施加的电压脉冲序列数目通常随着存储器阵列生命周期龄期(lifecycle age)的增加而增加。脉冲序列数目的增加影响了完成操作所需的时间量。此外，温度也会影响脉冲序列数目，脉冲序列数目随着龄期的增加而成比例地增加。擦除脉冲序列数目随着温度而降低。编程脉冲序列数目随着温度而增加。

因此，存在对于这样的擦除操作的需要，该擦除操作改进了在存储器寿命和擦除时间期间的擦除性能及可靠性。

附图说明

关于以下说明书以及附图，将会更好地理解本发明公开的好处、特征以及具有点。在附图中：

图1根据一个实施例，是非易失性存储器(NVM)装置的方框图。

图2是可以被图1的NVM装置执行的操作的一个实施例的流程图。

图3是可以被图1的NVM装置执行的擦除操作的一个实施例的流程图。

图4是可以用于图1的NVM装置的脉冲计数数据表的一个实施例。

图5是可以用于图1的NVM装置的另一个脉冲计数数据表的一个实施例。

具体实施方式

公开了非易失性存储器的方法和装置，其中在初步验证操作之后验证操作被暂停，直到选定数目的电压脉冲序列被施加于存储器单元阵列中的一些或所有。选定数目的电压脉冲序列可以基于温度和已经对阵列执行的操作数目。通过参考附图和以下书面描述可以更好地理解。

图1所示的是非易失性存储器(NVM)装置100，其具有电荷泵102、耦合于电荷泵102的存储器控制器106、耦合于控制器106的脉冲计数数据表110、耦合于控制器106的温度传感器112以及耦合于电荷泵102的NVM阵列104的集合。NVM阵列104通常包括行解码器、列解码器以及用于操作NVM阵列中的存储器单元的感测放大器(图中未显示)。控制器106控制NVM阵列104的操作，包括读取、编程和擦除。