[发明专利]片式电子组件及其制造方法

权利要求书

1.一种片式电子组件，所述片式电子组件包括：

主体，包括绝缘基板，其中，通孔形成在绝缘基板的中心部分中；

内线圈部，形成在绝缘基板的至少一个表面上；

绝缘层，包覆内线圈部；以及

外电极，形成在主体的至少一个端表面上，并且连接到内线圈部，

其中，绝缘层的外部部分的厚度大于绝缘层的芯部部分的厚度，绝缘层的所述外部部分临近外电极，绝缘层的所述芯部部分临近通孔。

2.根据权利要求1所述的片式电子组件，其中，绝缘层的外部部分具有10μm至25μm的平均厚度。

3.根据权利要求1所述的片式电子组件，其中，绝缘层的芯部部分具有5μm至10μm的平均厚度。

4.根据权利要求1所述的片式电子组件，其中，绝缘层的外部部分的平均厚度与绝缘层的芯部部分的平均厚度之比在1.5至5的范围之内。

5.根据权利要求1所述的片式电子组件，其中，绝缘层包括包覆内线圈部的第一绝缘层以及形成在内线圈部的边缘部分上的第二绝缘层。

6.根据权利要求5所述的片式电子组件，其中，第二绝缘层包含从由线型酚醛清漆类环氧树脂和橡胶类聚合物环氧树脂组成的组中选择中的至少一种。

7.根据权利要求5所述的片式电子组件，其中，第二绝缘层不形成在绝缘层的芯部部分上，仅形成在绝缘层的外部部分上。

8.一种片式电子组件的制造方法，所述制造方法包括：

在绝缘基板的至少一个表面上形成内线圈部；

形成包覆内线圈部的绝缘层；

通过在其上形成有内线圈部的绝缘基板的上部和下部上堆叠磁性层来形成主体；以及

在主体的至少一个端表面上形成外电极，以连接到内线圈部，

其中，形成绝缘层使得绝缘层的外部部分的厚度大于绝缘层的芯部部分的厚度，绝缘层的所述外部部分临近外电极，绝缘层的所述芯部部分临近通孔。

9.根据权利要求8所述的片式电子组件的制造方法，其中，绝缘层的外部部分具有10μm至25μm的平均厚度。

10.根据权利要求8所述的片式电子组件的制造方法，其中，绝缘层的芯部部分具有5μm至10μm的平均厚度。

11.根据权利要求8所述的片式电子组件的制造方法，其中，绝缘层的外部部分的平均厚度与绝缘层的芯部部分的平均厚度之比在1.5至5的范围之内。

12.根据权利要求8所述的片式电子组件的制造方法，其中，形成绝缘层的步骤包括：形成包覆内线圈部的第一绝缘层并在内线圈部的边缘部分上形成第二绝缘层。

13.根据权利要求12所述的片式电子组件的制造方法，其中，形成第二绝缘层的步骤包括：将内线圈部浸渍到用于形成第二绝缘层的树脂中，然后对其执行真空处理。

14.根据权利要求13所述的片式电子组件的制造方法，其中，第二绝缘层包含从由线型酚醛清漆类环氧树脂和橡胶类聚合物环氧树脂组成的组中选择中的至少一种。

15.根据权利要求12所述的片式电子组件的制造方法，其中，第一绝缘层包含光致抗蚀剂。

16.根据权利要求12所述的片式电子组件的制造方法，其中，第二绝缘层不形成在绝缘层的芯部部分上，而仅形成在绝缘层的外部部分上。