[发明专利]一种制作半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制作半导体器件的方法，包括：

提供半导体衬底，

在所述半导体衬底上依次形成第一栅极材料层、栅介电层、第二栅极材料层和图案化的硬掩膜层；

根据所述图案化的硬掩膜层依次刻蚀所述第二栅极材料层和所述栅介电层，以形成沟槽；

采用外延生长工艺在所述沟槽中形成第三栅极材料层，以填充所述沟槽；

执行平坦化工艺，以去除位于所述图案化的硬掩膜层上的所述第三栅极材料层；

去除所述图案化的硬掩膜层，以露出所述第二栅极材料层。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述图案化的硬掩膜层为单层结构或者多层结构。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述栅介电层的材料为ONO。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，采用干法刻蚀或者湿法刻蚀去除所述图案化的硬掩膜层。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺执行所述刻蚀步骤。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述干法刻蚀停止于所述第一栅极材料层。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二栅极材料层与所述第三栅极材料层的构成材料相同。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第二栅极材料层与所述第三栅极材料层的构成材料均为多晶硅。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述沟槽的侧壁具有坡度。