[发明专利]提高工艺片成膜均匀性的方法有效
| 申请号： | 201410174514.9 | 申请日： | 2014-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN103928317B | 公开（公告）日： | 2016-10-26 |
| 发明（设计）人： | 黄自强 | 申请（专利权）人： | 北京七星华创电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 100016 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 提高 工艺 片成膜 均匀 方法 | ||
1.一种提高工艺片成膜均匀性的方法，其特征在于，其包括：
步骤S01，向热的氧化炉炉管内通入氮气；
步骤S02，旋转炉管内的工艺片承载舟，并从原始位置升舟至工艺行程位置；
步骤S03，保持旋转工艺片承载舟，对工艺片进行主氧化工艺；
步骤S04，主氧化工艺完成后，保持旋转工艺片承载舟，从工艺行程位置降舟至原始位置。
2.根据权利要求1所述的提高工艺片成膜均匀性的方法，其特征在于：步骤S02包括步骤S021旋转工艺片承载舟，同时以第一速度从原始位置升舟至第一位置，步骤S022保持旋转工艺片承载舟，同时以第二速度升舟至工艺行程位置，其中，该第二速度小于第一速度；步骤S04包括步骤S041主氧化工艺完成后，保持旋转工艺片承载舟，同时以第三速度降舟至第二位置，步骤S042保持旋转工艺片承载舟，同时以第四速度降舟至第三位置，步骤S043停止旋转工艺片承载舟，并以该第三速度降舟至该原始位置，其中，该第三速度小于第四速度。
3.根据权利要求2所述的提高工艺片成膜均匀性的方法，其特征在于：该方法中旋转工艺片承载舟的旋转速率为1-5rpm，且各步骤中为同向旋转。
4.根据权利要求2所述的提高工艺片成膜均匀性的方法，其特征在于：该第一速度和第四速度范围为100-150mm/min，该第二速度和第三速度范围为20-50mm/min。
5.根据权利要求2所述的提高工艺片成膜均匀性的方法，其特征在于：该第一位置和第二位置在原始位置上方1550-1600mm之间，该第三位置在原始位置上方10-20mm之间。
6.根据权利要求2所述的提高工艺片成膜均匀性的方法，其特征在于：步骤S02中升舟之前先旋转工艺片承载舟10-60s，旋转速率为1-5rpm，步骤S042中降舟至第三位置之后继续旋转工艺片承载舟10-60s，旋转速率为1-5rpm。
7.根据权利要求2所述的提高工艺片成膜均匀性的方法，其特征在于：步骤S01之前还包括步骤S00，稳定氧化炉炉管内温度，并开启风机以形成稳定气流，步骤S04中降舟之前先稳定氧化炉炉管内温度。
8.根据权利要求7所述的提高工艺片成膜均匀性的方法，其特征在于：步骤S00中稳定氧化炉炉管内温度于600-800℃，开启风机风速为0.3-0.5m/s，步骤S04中稳定氧化炉炉管内温度于600-800℃，步骤S01中通入的是高纯氮气，其流量为500-1000SLM。
9.根据权利要求2所述的提高工艺片成膜均匀性的方法，其特征在于：步骤S02过程中通入少量氧气，步骤S04过程中不通入氧气，步骤S03中所述主氧化工艺包括温度稳定、升温、氧化工艺、降温和温度稳定。
10.根据权利要求1所述的提高工艺片成膜均匀性的方法，其特征在于：本方法还包括步骤S05，关闭炉门，通入氮气，以冷却工艺片。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
