[发明专利]石墨烯/六方氮化硼的高度晶向匹配堆叠结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201410174485.6 | 申请日： | 2014-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN105019030B | 公开（公告）日： | 2019-01-08 |
| 发明（设计）人： | 王多明;张广宇;时东霞 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02;C30B29/02;C30B29/38 |
| 代理公司： | 北京智汇东方知识产权代理事务所(普通合伙) 11391 | 代理人： | 范晓斌;康正德 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 石墨烯 六方氮化硼 堆叠结构 晶向 匹配 制备 热处理 不确定性 高度匹配 机械对准 氮化硼 无规则 石墨 延伸 成熟 加工 | ||
1.一种石墨烯/六方氮化硼的高度晶向匹配堆叠结构的制备方法，包括：
形成石墨烯/六方氮化硼的初步堆叠结构；
对所述初步堆叠结构进行热处理，以得到所述石墨烯/六方氮化硼的高度晶向匹配堆叠结构；
其中，形成所述石墨烯/六方氮化硼的初步堆叠结构的步骤包括：
在六方氮化硼晶体上形成石墨烯层，并在所述石墨烯层上引入缺陷；
扩大所述缺陷以得到相互分立的石墨烯块，从而得到多个所述初步堆叠结构；
其中，所述热处理包括加热操作，所述加热操作的加热温度为600℃～800℃，保温时间为10～40分钟；在所述热处理之前，采用基于扫描探针的操纵技术对所述初步堆叠结构中的石墨烯进行操作，以使所述初步堆叠结构预匹配。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述热处理为对所述初步堆叠结构进行高温退火，所述高温退火时的升温速率和降温速率均为5～15℃/分钟。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述高温退火时的升温速率和降温速率均为10℃/分钟。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，采用电子束光刻技术和反应离子氧刻蚀技术在所述石墨烯层上引入缺陷。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述缺陷呈圆形孔洞，所述圆形孔洞的尺寸为50～800nm。
6.根 据权利要求1-4中任一项所述的制备方法，其特征在于，采用氢等离子体各向异性刻蚀以扩大所述石墨烯层上的缺陷。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述氢等离子体各向异性刻蚀的条件为：温度为400℃，氢气压力为0.4torr，功率为10W，刻蚀速率为3nm/分钟。
8.一种高度晶向匹配的石墨烯/六方氮化硼堆叠结构，其特征在于，所述堆叠结构由权利要求1至7中任一项所述的制备方法制备而成。
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