[发明专利]写装置及磁性存储器

说明书

本发明实施例提供一种写装置及磁性存储器，写装置包括：第一驱动端口、第二驱动端口、第一信息存储区、第二信息存储区以及信息缓存区，第一信息存储区与信息缓存区之间存在第一区域，第二信息存储区和信息缓存区之间存在第二区域，第一信息存储区、第二信息存储区和信息缓存区采用第一磁性材料构成，第一区域和第二区域采用第二磁性材料构成，第一磁性材料的磁能高于第二磁性材料的磁能；第一信息存储区，用于向信息缓存区写入第一数据；第二信息存储区，用于向信息缓存区中写入第二数据；信息缓存区，用于缓存从第一信息存储区或第二信息存储区写入的数据，并将缓存的数据写入磁性存储器的一个磁畴中。能够保证磁性存储器的写入的稳定性。

技术领域

本发明实施例涉及存储技术，尤其涉及一种写装置及磁性存储器。

背景技术

磁畴是指磁性材料在自发磁化的过程中为降低静磁能而产生分化的方向各异的小型磁化区域，这些区域内部都包含大量原子，这些原子的磁矩都像许多个小磁铁般整齐排列，由于相邻的不同区域之间原子磁矩排列的方向不同，因此各磁畴之间的交界会形成磁畴壁。磁性存储器是通过施加到该磁性材料上的电源产生的电流或磁场推移磁畴壁所在的位置，以此将原子磁矩排列的方向推移到待写入的磁畴中来记录信息的存储设备，其中，原子磁矩排列的方向与其内部电子的自旋方向相关联，原子磁矩是其内部所有电子集合的轨道磁矩、自旋磁矩和核磁矩的矢量和。

近年来，利用电源来推移磁畴壁进行写入的相关理论与实验陆续提出并发展成熟，使得磁性存储器的存储速度超过传统的闪存芯片以及硬盘的存储速度，受到市场的广泛关注。但是现有技术中，由于磁畴壁并不能稳定的固定在一处，而是很容易在电源的驱动下移动，这样会导致在电源驱动下向写入磁畴的数据不能够稳定钉扎在这个磁畴中，可能会移动到其他磁畴中，而一旦移动到与该数据的电子自旋方向相反的其他磁畴中，会导致已经写入其他磁畴的数据抵消，限制了写入的稳定性。

发明内容

本发明实施例提供一种写装置及磁性存储器，能够保证磁性存储器的的写入操作的稳定性。

第一方面，本发明实施例提供一种写装置，包括：

用于对利用磁畴存储信息的磁性存储器进行写操作，包括第一驱动端口、第二驱动端口、第一信息存储区、第二信息存储区以及信息缓存区，其中：

所述第一驱动端口的一端与所述第一信息存储区连接，所述第一驱动端口的另一端用于连接电源；

所述第二驱动端口的一端与所述第二信息存储区连接，所述第二驱动端口的另一端用于连接所述电源；

所述第一信息存储区与所述信息缓存区之间存在第一区域，所述第二信息存储区和所述信息缓存区之间存在第二区域，所述第一信息存储区、所述第二信息存储区和所述信息缓存区采用第一磁性材料构成，所述第一区域和所述第二区域采用第二磁性材料构成，所述第一磁性材料与所述第二磁性材料不同，所述第一磁性材料的磁能高于所述第二磁性材料的磁能；

所述第一信息存储区，用于在所述第一驱动端口受到所述电源的驱动时，向所述信息缓存区写入第一数据，所述第一数据由具有第一自旋方向的电子集合来表示；

所述第二信息存储区，用于在所述第二驱动端口受到所述电源的驱动时，向所述信息缓存区中写入第二数据，所述第二数据由具有第二自旋方向的电子集合来表示，其中，所述第一自旋方向与所述第二自旋方向相反；

所述信息缓存区，用于缓存从所述第一信息存储区或所述第二信息存储区写入的数据，并将缓存的数据写入所述磁性存储器的一个磁畴中。

在第一种可能的实现方式中，根据第一方面，所述第一磁性材料为铁、钴或镍中的至少一种；所述第二磁性材料为铁、钴或镍中的至少一种。

第二方面，本发明实施例提供一种磁性存储器，包括：磁性存储轨道、电源以及上述的写装置；