[发明专利]写装置及磁性存储器有效

专利信息
申请号: 201410173016.2 申请日: 2014-04-25
公开(公告)号: CN105096963B 公开(公告)日: 2018-06-26
发明(设计)人: 傅雅蓉;赵俊峰;王元钢;杨伟;林殷茵;杨凯 申请(专利权)人: 华为技术有限公司;复旦大学
主分类号: G11B5/012 分类号: G11B5/012;G11B5/02
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 刘芳
地址: 518129 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 信息存储区 信息缓存区 磁性存储器 磁性材料 写入 写装置 缓存 第二区域 第一区域 驱动端口 磁能 第一数据 磁畴 保证
【权利要求书】:

1.一种写装置,用于对利用磁畴存储信息的磁性存储器进行写操作,其特征在于,包括第一驱动端口、第二驱动端口、第一信息存储区、第二信息存储区以及信息缓存区,其中:

所述第一驱动端口的一端与所述第一信息存储区连接,所述第一驱动端口的另一端用于连接电源;

所述第二驱动端口的一端与所述第二信息存储区连接,所述第二驱动端口的另一端用于连接所述电源;

所述第一信息存储区与所述信息缓存区之间存在第一区域,所述第二信息存储区和所述信息缓存区之间存在第二区域,所述第一信息存储区、所述第二信息存储区和所述信息缓存区采用第一磁性材料构成,所述第一区域和所述第二区域采用第二磁性材料构成,所述第一磁性材料与所述第二磁性材料不同,所述第一磁性材料的磁能高于所述第二磁性材料的磁能;

所述第一信息存储区,用于在所述第一驱动端口受到所述电源的驱动时,向所述信息缓存区写入第一数据,所述第一数据由具有第一自旋方向的电子集合来表示;

所述第二信息存储区,用于在所述第二驱动端口受到所述电源的驱动时,向所述信息缓存区中写入第二数据,所述第二数据由具有第二自旋方向的电子集合来表示,其中,所述第一自旋方向与所述第二自旋方向相反;

所述信息缓存区,用于缓存从所述第一信息存储区或所述第二信息存储区写入的数据,并将缓存的数据写入所述磁性存储器的一个磁畴中。

2.根据权利要求1所述的写装置,其特征在于,

所述第一磁性材料包括下述磁性材料中的至少一种磁性材料:铁、钴和镍;所述第二磁性材料包括下述磁性材料中的至少一种磁性材料:铁、钴和镍。

3.根据权利要求1或2所述的写装置,其特征在于,

所述信息缓存区与所述第一信息存储区的夹角为钝角、平角或锐角;

所述信息缓存区与所述第二信息存储区的夹角为钝角、平角或锐角。

4.一种磁性存储器,其特征在于,包括:磁性存储轨道、电源以及如权利要求1~3中任一项所述的写装置;

所述磁性存储轨道包括多个磁畴,所述磁畴用于记录所述写装置写入的数据;

所述电源,分别与所述写装置以及所述磁性存储轨道连接,用于对所述磁性存储轨道和所述写装置进行驱动控制;

其中,所述写装置的信息缓存区与所述磁性存储轨道中的一个磁畴大小相同,所述写装置的信息缓存区设置在所述磁性存储轨道的相邻的两个磁畴壁之间,所述信息缓存区的数据写入方向与所述磁性存储轨道的磁畴移动方向垂直,所述写装置用于将信息缓存区中的数据写入所述磁性存储轨道的磁畴中。

5.根据权利要求4所述的磁性存储器,其特征在于,

所述磁性存储轨道为U型轨道;

所述写装置的信息缓存区设置在所述磁性存储轨道的底部轨道相邻的两个磁畴壁之间,其中,所述磁畴壁用于分隔相邻的两个磁畴。

6.根据权利要求5所述的磁性存储器,其特征在于,所述信息缓存区的数据写入方向与所述磁性存储轨道的磁畴移动方向垂直包括:

若所述磁性存储轨道的磁畴移动方向沿X轴方向移动,则所述写装置的所述信息缓存区的数据写入方向为Y轴方向,其中,所述X轴与Y轴在水平方向上相互垂直。

7.根据权利要求5所述的磁性存储器,其特征在于,所述信息缓存区的数据写入方向与所述磁性存储轨道的磁畴移动方向垂直包括:

若所述磁性存储轨道的磁畴移动方向沿X轴方向移动,则所述写装置的所述信息缓存区的数据写入方向为Z轴方向,其中,所述X轴与Z轴在竖直方向上相互垂直。

8.根据权利要求4-7任意一项所述的磁性存储器,其特征在于,

所述磁性存储器包括至少两个所述写装置,其中,所述至少两个所述写装置包括第一写装置和第二写装置,所述第一写装置与所述第二写装置延所述磁性存储轨道的方向并行设置。

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