[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201410172667.X | 申请日： | 2014-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN105097912A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 陈金明 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张永明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件，包括：
有源区；以及
伪有源区，所述伪有源区位于所述有源区的外侧并与所述有源区间隔布置；
其特征在于，所述伪有源区包括第一伪有源区，所述第一伪有源区在所述有源区的外侧延伸形成连续条状。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一伪有源区沿其延伸方向的相对两端分别与所述有源区的相对两端平齐。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括栅极，所述栅极设置在所述有源区上。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第一伪有源区沿所述栅极的延伸方向延伸。
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，两个所述第一伪有源区沿垂直于所述栅极的延伸方向布置在所述有源区的相对两侧。
6.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第一伪有源区的延伸方向垂直于所述栅极的延伸方向。
7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，两个所述第一伪有源区沿所述栅极的延伸方向布置在所述有源区的相对两侧。
8.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述第一伪有源区有四个，对应于所述有源区的四周布置。
9.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，四个所述第一伪有源区间隔布置。
10.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，四个所述第一伪有源区首尾顺次连接。
11.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括伪栅极，所述伪栅极与所述栅极平行。
12.根据权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，多个所述伪栅极沿垂直于所述栅极的延伸方向间隔布置。
13.根据权利要求1至12中任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述伪有源区还包括第二伪有源区，所述第二伪有源区间隔布置于所述第一伪有源区的相对两侧。
14.根据权利要求1至12中任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述伪有源区还包括第三伪有源区组，所述第三伪有源区组中的多个第三伪有源区沿垂直于所述第一伪有源区的延伸方向间隔布置。
15.根据权利要求14所述的半导体器件，其特征在于，两个所述第三伪有源区组沿所述第一伪有源区的延伸方向布置在所述有源区的相对两侧。
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