[发明专利]高频电路用铜箔、覆铜板、印刷配线板、带载体的铜箔、电子设备及印刷配线板的制造方法

权利要求书

1.一种高频电路用铜箔，其中，所述高频电路用铜箔是在铜箔的表面形成了铜的一次粒子层之后，在所述一次粒子层上形成有含有铜、钴及镍的3元系合金的二次粒子层的铜箔，利用激光显微镜测得的粗化处理面的凹凸的高度平均值为1500以上，将所述高频电路用铜箔从所述粗化处理面的一侧与厚度50μm的液晶聚合物树脂贴合后，通过蚀刻所述高频电路用铜箔，按照使特性阻抗为50Ω的方式形成微带线路，使用网路分析器对透过系数进行测定，测定频率20GHz时的传输损耗时，所述高频电路用铜箔的传输损耗低于5.0dB/10cm，并且

所述高频电路用铜箔中的钴的合计附着量为300～2000μg/dm²，镍的合计附着量为100～900μg/dm²。

2.如权利要求1所述的高频电路用铜箔，其中，所述铜的一次粒子层的平均粒径为0.25～0.45μm，由含有铜、钴及镍的3元系合金形成的二次粒子层的平均粒径为0.35μm以下。

3.如权利要求1所述的高频电路用铜箔，其中，所述一次粒子层及二次粒子层是电镀层。

4.如权利要求1所述的高频电路用铜箔，其中，所述二次粒子是在所述一次粒子上生长的1个或多个树枝状粒子或者在所述一次粒子上生长的正常镀层。

5.如权利要求1所述的高频电路用铜箔，其中，利用激光显微镜测得的所述粗化处理面的凹凸的高度平均值为1500以上、2000以下。

6.如权利要求1所述的高频电路用铜箔，其中，所述一次粒子层及二次粒子层的剥离强度为0.80kg/cm以上。

7.如权利要求1所述的高频电路用铜箔，其中，所述一次粒子层及二次粒子层的剥离强度为0.90kg/cm以上。

8.如权利要求1所述的高频电路用铜箔，其中，在所述二次粒子层上形成有下述层的任意一方或双方：

(A)含有从Fe、Cr、Mo、Zn、Ta、Cu、Al、P、W、Mn、Sn、As及Ti构成的组中选择的一种以上元素以及Ni的合金层，和

(B)铬酸盐层。

9.如权利要求1所述的高频电路用铜箔，其中，在所述二次粒子层上依次形成有下述层的任意一方或双方和硅烷偶联层：

(A)含有从由Fe、Cr、Mo、Zn、Ta、Cu、Al、P、W、Mn、Sn、As及Ti构成的组中选择的一种以上元素以及Ni的合金层，和

(B)铬酸盐层。

10.如权利要求1所述的高频电路用铜箔，其中，在所述二次粒子层上形成有Ni-Zn合金层和铬酸盐层的任意一方或双方。

11.如权利要求1所述的高频电路用铜箔，其中，在所述二次粒子层上依次形成有Ni-Zn合金层和铬酸盐层的任意一方或双方和硅烷偶联层。

12.如权利要求1所述的高频电路用铜箔，其中，在所述二次粒子层的表面具有树脂层。

13.如权利要求8所述的高频电路用铜箔，其中，在所述含有从Fe、Cr、Mo、Zn、Ta、Cu、Al、P、W、Mn、Sn、As及Ti构成的组中选择的一种以上元素以及Ni的合金层、或所述铬酸盐层、或所述硅烷偶联层、或所述Ni-Zn合金层的表面，具有树脂层。

14.一种带载体的铜箔，所述带载体的铜箔是在载体的一个面或两个面上依次具有中间层、极薄铜层的带载体的铜箔，其中，所述极薄铜层是权利要求1所述的高频电路用铜箔。

15.一种带载体的铜箔，所述带载体的铜箔是在载体的一个面或两个面上依次具有中间层、极薄铜层的带载体的铜箔，其中，所述极薄铜层是权利要求2～11中任意一项所述的高频电路用铜箔。