[发明专利]发光器件和发光器件封装有效

专利信息
申请号: 201410167978.7 申请日: 2011-02-18
公开(公告)号: CN103996776B 公开(公告)日: 2017-07-11
发明(设计)人: 裵贞赫;郑泳奎;朴径旭;朴德炫 申请(专利权)人: LG伊诺特有限公司
主分类号: H01L33/38 分类号: H01L33/38;H01L33/44;H01L33/48;H01L33/62
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 代理人: 周燕,夏凯
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 发光 器件 封装
【说明书】:

本申请是2011年2月18日提交的申请号为201110042254.6,发明名称为“发光器件和发光器件封装”的专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及发光器件和发光器件封装。

背景技术

发光二极管(LED)是将电流转换为光的半导体发光器件。近年来,随着LED的亮度逐渐地增加,越来越多地将LED用作用于显示器的光源、用于车辆的光源以及用于照明系统的光源。通过使用荧光材料或者通过组合分别发射三原色的单个LED可以实现发射白光并且具有优异效率的LED。

LED的亮度取决于各种条件,诸如有源层的结构、能够有效地将光提取到外部的光提取结构、在LED中使用的半导体材料、芯片大小以及包封LED的成型构件的类型。

发明内容

实施例提供具有新颖的结构的发光器件和发光器件封装。

实施例还提供具有增强的可靠性的发光器件和发光器件封装。

实施例还提供能够减少光损耗的发光器件和发光器件封装。

在一个实施例中,发光器件包括:支撑构件;在支撑构件上的发光结构,该发光结构包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层;在支撑构件的上表面的外围区域处的保护构件;电极,该电极包括:在第一导电类型半导体层上的上部、从上部延伸并且在发光结构的侧表面上的侧部以及从侧部延伸并且在保护构件上的延伸部;以及在发光结构的侧表面和电极之间的绝缘层。

在另一实施例中,发光器件封装包括:发光器件、封装主体、引线电极以及插座(socket)。发光器件包括:发光结构,该发光结构包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层、以及在第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层;在支撑构件的上表面的外围区域处的保护构件;电极,该电极包括在第一导电类型半导体层上的上部、从上部延伸并且在发光结构的侧表面上的侧部以及从侧部延伸并且在保护构件上的延伸部;以及在发光结构的侧表面和电极之间的绝缘层。发光器件被设置在封装主体上。引线电极位于封装主体上并且被电气地连接到发光器件。插座被电气地连接到发光器件的电极和引线电极。

附图说明

图1是根据实施例的发光器件的截面图。

图2是图1的发光器件的平面图。

图3是根据另一实施例的发光器件的平面图。

图4是根据修改示例的发光器件的平面图。

图5是根据另一修改示例的发光器件的平面图。

图6至图11是示出根据实施例的用于制造发光器件的方法的截面图。

图12是根据实施例的包括发光器件的第一发光器件封装的截面图。

图13是根据实施例的包括发光器件的第二发光器件封装的截面图。

图14是图13的第二发光器件封装的插座和发光器件的延伸截面图。

图15是图13的第二发光器件封装中的插座和发光器件的分解透视图。

图16是第二发光器件封装的第一修改示例的截面图。

图17是第二发光器件封装的第二修改示例的截面图。

图18是根据实施例的包括发光器件或者发光器件封装的背光单元的分解透视图。

图19是根据实施例的包括发光器件或者发光器件封装的照明单元的透视图。

具体实施方式

在下面的描述中,将理解的是,当层(或者膜)被称为在另一层或者基板“上”时,它能够直接地在另一层或者基板上,或者也可以存在中间层。此外,将理解的是,当层被称为在另一层“下”时,它能够直接地在另一层下面,并且也可以存在一个或者多个中间层。另外,将会基于附图描述术语“上”或者“下”。

在附图中,为了示出的清楚,层和区域的尺寸被夸大。另外,每个部分的尺寸没有反映真实尺寸。

在下文中,将会参考附图描述根据实施例的发光器件、用于制造发光器件的方法、发光器件封装以及照明系统。

<实施例>

图1是根据实施例的发光器件100的截面图,并且图2是图1的发光器件100的平面图。

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