[发明专利]发光器件和发光器件封装有效
| 申请号： | 201410167978.7 | 申请日： | 2011-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN103996776B | 公开（公告）日： | 2017-07-11 |
| 发明（设计）人： | 裵贞赫;郑泳奎;朴径旭;朴德炫 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/44;H01L33/48;H01L33/62 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 | 代理人： | 周燕,夏凯 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光 器件 封装 | ||
1.一种发光器件，包括：
导电支撑构件；
在所述导电支撑构件上的发光结构，所述发光结构包括第一导电类型半导体层、在所述第一导电类型半导体层上的第二导电类型半导体层、以及在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层；
反射层，所述反射层设置在所述导电支撑构件的上表面上；
附着层，所述附着层设置在所述反射层和所述导电支撑构件之间；
保护构件，所述保护构件设置在所述反射层的上表面的外围区域上；
电极，所述电极连接到所述第一导电类型半导体层的上表面；以及
在所述发光结构的侧表面和所述电极之间的绝缘层，
其中，所述保护构件设置在所述第二导电类型半导体层和所述反射层之间，以及
其中，所述电极的至少一部分设置在所述保护构件上，
其中，所述电极包括在所述第一导电类型半导体层上的上部、从所述上部延伸并且在所述发光结构的侧表面上的侧部、以及从所述侧部延伸并且在所述保护构件上的延伸部，
其中，所述电极的上部被电气地连接到所述第一导电类型半导体层，
其中，所述电极包括连接到所述延伸部的具有开口的图案，以及
其中，所述电极的上部具有设置在所述第一导电类型半导体层的上表面上的开口，
其中，所述绝缘层设置在所述电极的延伸部和所述保护构件之中。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述发光结构的侧表面倾斜。
3.根据权利要求2所述的发光器件，进一步包括在所述延伸部的至少一部分上的结合金属层。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的发光器件，其中，所述电极包括金属。
5.根据权利要求1至3中的任一项所述的发光器件，其中，所述电极包括透明材料。
6.根据权利要求1至3中的任一项所述的发光器件，其中，所述电极具有多个层。
7.根据权利要求3所述的发光器件，其中，所述电极和所述结合金属层具有彼此不同的材料。
8.根据权利要求2或3所述的发光器件，其中，所述绝缘层具有透明材料以便最小化光损耗。
9.根据权利要求2或3所述的发光器件，其中，所述电极的图案包括栅格图案、螺线状或者螺旋状图案中的至少一个。
10.根据权利要求2或3所述的发光器件，其中，所述保护构件的上表面被暴露。
11.根据权利要求2或3所述的发光器件，其中，所述电极的侧部具有线状。
12.根据权利要求1至3中的任一项所述的发光器件，其中，所述电极设置在所述发光结构的整个区域和所述保护构件上。
13.根据权利要求1至3中的任一项所述的发光器件，进一步包括欧姆接触层，所述欧姆接触层设置在所述反射层的上表面上和所述保护构件内部。
14.根据权利要求1至3中的任一项所述的发光器件，其中，所述第一导电类型半导体层包括n型半导体层并且所述第二导电类型半导体层包括p型半导体层。
15.根据权利要求1或2所述的发光器件，其中，所述绝缘层对应于所述电极的图案。
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