[发明专利]一种半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括SRAM单元，其中所述SRAM单元包括由第一上拉晶体管与第一下拉晶体管构成的第一反相器以及由第二上拉晶体管与第二下拉晶体管构成的第二反相器，所述第一反相器与所述第二反相器交叉耦合；

其中，所述第一上拉晶体管的用于连接电源电压的源极与所述第二上拉晶体管的用于连接电源电压的源极之间不存在电连接，并且所述第一上拉晶体管源极连接的电源电压和所述第二上拉晶体管源极连接的电源电压通过两个独立的电源电压分别实现，所述第一上拉晶体管的源极上的电源电压大于所述第二上拉晶体管源极上的电源电压，所述第一下拉晶体管的用于连接电源负极的源极与所述第二下拉晶体管的用于连接电源负极的源极形成电连接。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一上拉晶体管的源极上的电源电压为标准电源电压，所述第二上拉晶体管源极上的电源电压的大小为标准电源电压的70％。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一上拉晶体管的源极上的电源电压的大小为标准电源电压的130％，所述第二上拉晶体管源极上的电源电压的大小为标准电源电压的70％。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一下拉晶体管的用于连接电源负极的源极与所述第二下拉晶体管的用于连接电源负极的源极连接至共同的电源负极。

5.一种半导体器件，其特征在于，包括SRAM单元，其中所述SRAM单元包括由第一上拉晶体管与第一下拉晶体管构成的第一反相器以及由第二上拉晶体管与第二下拉晶体管构成的第二反相器，所述第一反相器与所述第二反相器交叉耦合；

其中，所述第一上拉晶体管的用于连接电源电压的源极与所述第二上拉晶体管的用于连接电源电压的源极形成电连接，所述第一下拉晶体管的用于连接电源负极的源极与所述第二下拉晶体管的用于连接电源负极的源极之间不存在电连接，所述第一下拉晶体管的源极上的电源负极电压大于所述第二下拉晶体管的源极上的电源负极电压，并且所述第一下拉晶体管源极连接的电源负极和所述第二下拉晶体管源极连接的电源负极通过两个独立的电源负极分别实现。

6.如权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述第一下拉晶体管的源极上的电源负极电压的大小为标准电源负极电压与25％的标准电源电压之和，所述第二下拉晶体管的源极上的电源负极电压为标准电源负极电压。

7.如权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述第一下拉晶体管的源极上的电源负极电压的大小为标准电源负极电压与25％的标准电源电压之和，所述第二下拉晶体管的源极上的电源负极电压为标准电源负极电压与25％的标准电源电压之差。

8.如权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述第一上拉晶体管的用于连接电源电压的源极与所述第二上拉晶体管的用于连接电源电压的源极连接至共同的电源电压。