[发明专利]存储装置和存储管理方法

说明书

本发明公开了存储装置和存储管理方法。其中，该存储装置包括：检测单元、存储单元、更新单元和确定单元。检测单元，被配置为检测非易失性存储器的劣化因素；存储单元，被配置为保存寿命推测值；更新单元，被配置为基于由该检测单元所检测的该劣化因素更新该寿命推测值；以及确定单元，被配置为使用由该更新单元所更新的该寿命推测值，以产生通知信号。

相关申请的交叉参考

本申请要求于2013年4月30日提交的日本在先专利申请JP2013-094963的利益，其全部内容通过引用并入本文。

技术领域

本发明涉及应用于非易失性存储器，例如非易失性半导体存储器的存储装置和存储管理方法。

背景技术

近年来，非易失性半导体存储器的价格日益降低，并且非易失性半导体存储器被用于一个又一个的目的。作为目的之一，设想非易失性半导体存储器包含在塑料介质中并被用作过去的磁带介质的替代品。

作为非易失性存储器之一，磁存储装置(硬盘、磁带等)是已知的。例如，在广播站、数据中心等中，磁带介质用于数据的长期存储。在磁带介质中，对于劣化，推测劣化状态并且已经劣化的磁带介质必须被拷贝到新的磁带介质。然而，如果有大量的卷，那么存在一个问题，即该任务需要大量的时间和精力。

另外设想，替代磁带介质，非易失性半导体存储器被包含在盒中，并以与磁带盒相同的方式来使用。近年来，非易失性半导体存储器的价格一直在迅速降低。此外，当使用非易失性半导体存储器时，昂贵的驱动装置对于读取来说是不必要的，并且仅通过将接口连接到电源，就可以执行写入和读取。

发明内容

然而，存在非易失性半导体存储器劣化的问题。具体地，近年，半导体工艺微型化的进步，并且在非易失性半导体存储器价格下降的同时，出现了可靠性降低的问题。具体地，在实现低成本的多值NAND闪存中，反复执行重写后的数据保持时间缩短。在使用该存储器的产品中，数据损坏发生的可能性增加。

例如，日本专利申请特开号HEI8-241599和日本专利翻译公布号2010-500699各公开了非易失性半导体存储器的劣化检测方法。在日本专利申请特开号HEI8–241599中，在非易失性半导体存储器中，设置了存储写入次数的写入次数存储单元，写入次数的设定值和实际的写入次数相互比较，当超过设定值时，发出警告。日本专利翻译公布号2010-500699公开了设置有阶段的存储设备，在一个阶段上从存储阵列中读取包括多个扇区的页，在一个阶段上确定多个扇区的每个是否均包括允许数量范围内的错误，以及在一个阶段上当多个扇区每个均包括允许范围内的错误时，提供成功指示器。

在日本专利申请特开号HEI8-241599和日本专利翻译公布号2010-500699中，控制装置(计算机)访问非易失性半导体存储器，读取写入次数或错误，从而由控制装置确定劣化度。因此，在非易失性半导体存储器没有连接到控制装置的状态下，例如，在如上所述将非易失性半导体存储器与存储器保存在盒中的情况下，存在一个问题，即可能无法检测劣化。

鉴于上述情况，期望提供即使在控制装置等难以执行访问的状态下，也能够检测劣化的一种存储装置和存储管理方法。

根据本发明的实施方式，提供了一种存储装置，包括：检测单元、存储单元、更新单元和确定单元。

检测单元被配置为检测非易失性存储器的劣化因素。

存储单元被配置为保存寿命推测值。

更新单元被配置为在由检测单元所检测的劣化因素的基础上更新寿命推测值。

确定单元被配置为使用由更新单元所更新的寿命推测值，以产生通知信号。