[发明专利]降低手机时间管理模块漏电的工艺改进方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，更具体地说，本发明涉及一种降低手机时间管理模块漏电的工艺改进方法。

背景技术

现今在半导体制造领域，半导体化学气相沉积机台和刻蚀机台增加了APC(自动程序控制)调节功能，随着工艺时间的增加，机台的工艺参数会发生变化。例如，DCVD(介电质化学气相淀积)机台在沉积薄膜时，由于自身机台的性能，会出现晶圆中心相对较薄，而边界相对较厚的现象。APC系统的逐渐完善，使得机台的工艺参数会根据机台及晶圆的量测和监测结果，会自动反馈，并补偿机台的工艺参数。

但是，现有技术仍然无法解决手机时间管理模块漏电的问题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种能够降低手机时间管理模块漏电的工艺改进方法。

为了实现上述技术目的，根据本发明，提供了一种降低手机时间管理模块漏电的工艺改进方法，其包括：针对手机时间管理模块的制造，使得介电质化学气相淀积机台进行周期清洗工艺，其中介电质化学气相淀积机台每当针对预定数量的硅片处理完沉积工艺则清洗一次反应腔，而且其中针对清洗的反应腔，使得沉积工艺的时间延长。

优选地，针对清洗的反应腔，使得沉积工艺的时间延长百分之一。

优选地，所述降低手机时间管理模块漏电的工艺改进方法还包括：针对手机时间管理模块的制造，在射频时间连续的一次刻蚀工艺中，随着刻蚀时间的增大，逐渐减小针对每个优选地，在每经过50个小时的刻蚀之后，使得针对每个硅片的刻蚀时间减小百分之0.7。

本发明的优点是，通过调节化学气相沉积的沉积速率，良好的改善了晶圆中心和边界沉积薄膜的均匀性；通过优化基于射频时间的工艺时间，大大稳定氟掺杂的氧化硅玻璃氧化层刻蚀总量的稳定性，最终提高了芯片的良率。

附图说明

结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本发明有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中：

图1示意性地示出了造成手机时间管理模块产生漏电的相关工艺。

图2示意性地示出了造成手机时间管理模块产生漏电的相关工艺。

图3示意性地示出了根据本发明优选实施例的降低手机时间管理模块漏电的工艺改进方法。

需要说明的是，附图用于说明本发明，而非限制本发明。注意，表示结构的附图可能并非按比例绘制。并且，附图中，相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。

具体实施方式

为了使本发明的内容更加清楚和易懂，下面结合具体实施例和附图对本发明的内容进行详细描述。

手机时间管理模块产生漏电主要是由于后段的通孔未被刻蚀完全造成的，与此相关的工艺包括介质化学气相沉积和刻蚀工艺。具体地说，如图1所示，介电质化学气相淀积后，在第一氧化硅玻璃层11内的第一金属层12上的层间介质层20上形成的第二氧化硅玻璃层21和第二硬掩模22中形成凹槽。如图2所示，在刻蚀之后，第二金属凹槽31下可能形成未打通的通孔32、完全打开的通孔33以及部分打开的通孔34。

由此，针对现有技术中存在的上述问题，本发明通过优化化学气相沉积工艺的周期清洗工艺(Cyclecleanprocess)，来改善不同晶圆之间沉积的介质层厚度差异；通过基于射频时间的工艺时间优化，保持氟掺杂的氧化硅玻璃(FSG)氧化层刻蚀总量的均一性和稳定性。

本发明在原有的机台性能的基础上，通过调整化学气相沉积和刻蚀工艺，来弥补机台自身的性能差异，具体如下：

1.介电质化学气相淀积机台是以反应腔内部累积的薄膜厚度的多少来定义清洗程式的。机台现有的规定为，大约淀积50-60片的厚度为的氟掺杂的氧化硅玻璃晶圆，反应腔会做一次清洗，在一个清洗单元内，累计膜厚的增加会影响到沉积速率，从而在一个清洗单元内，会出现氟掺杂的氧化硅玻璃厚度轻微下降的现象。针对这个现象，本发明改进的方案为利用介电质化学气相淀积机台的时间补偿功能来补偿清洗后晶圆的沉积时间，从而解决一个清洗单元内，氟掺杂的氧化硅玻璃厚度下降的现象，减小了不同晶圆之间的氟掺杂的氧化硅玻璃沉积厚度差异；

2.刻蚀机台(例如AIO刻蚀机台)在使用过程中，由于聚焦环(focusring)的消耗，随着射频时间的增加，刻蚀速率会增大：射频时间由0延长到500小时，线下刻蚀速率将由增加到从而使刻蚀深度增加针对这个现象，本发明改进的方案是通过随射频时间变化的刻蚀时间补偿，来改善氟掺杂的氧化硅玻璃氧化层刻蚀稳定性。