[发明专利]降低手机时间管理模块漏电的工艺改进方法有效
| 申请号： | 201410162700.0 | 申请日： | 2014-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN103943461B | 公开（公告）日： | 2017-01-25 |
| 发明（设计）人： | 陈佳;刘景富;王艳生 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 降低 手机 时间 管理 模块 漏电 工艺 改进 方法 | ||
1.一种降低手机时间管理模块漏电的工艺改进方法，其特征在于包括：针对手机时间管理模块的制造，使得介电质化学气相淀积机台进行周期清洗工艺，其中介电质化学气相淀积机台每当针对预定数量的硅片处理完沉积工艺则清洗一次反应腔，而且其中针对清洗的反应腔，使得沉积工艺的时间延长。
2.根据权利要求1所述的降低手机时间管理模块漏电的工艺改进方法，其特征在于，针对清洗的反应腔，使得沉积工艺的时间延长百分之一。
3.根据权利要求1或2所述的降低手机时间管理模块漏电的工艺改进方法，其特征在于还包括：针对手机时间管理模块的制造，在射频时间连续的一次刻蚀工艺中，随着刻蚀时间的增大，逐渐减小针对每个硅片的刻蚀时间。
4.根据权利要求3所述的降低手机时间管理模块漏电的工艺改进方法，其特征在于，在每经过50个小时的刻蚀之后，使得针对每个硅片的刻蚀时间减小百分之0.7。
5.一种降低手机时间管理模块漏电的工艺改进方法，其特征在于包括：针对手机时间管理模块的制造，在射频时间连续的一次刻蚀工艺中，随着刻蚀时间的增大，逐渐减小针对每个硅片的刻蚀时间。
6.根据权利要求1或2所述的降低手机时间管理模块漏电的工艺改进方法，其特征在于，在每经过50个小时的刻蚀之后，使得针对每个硅片的刻蚀时间减小百分之0.7。
7.根据权利要求1或2所述的降低手机时间管理模块漏电的工艺改进方法，其特征在于还包括：针对手机时间管理模块的制造，使得介电质化学气相淀积机台进行周期清洗工艺，其中介电质化学气相淀积机台每当针对预定数量的硅片处理完沉积工艺则清洗一次反应腔，而且其中针对清洗的反应腔，使得沉积工艺的时间延长。
8.根据权利要求7所述的降低手机时间管理模块漏电的工艺改进方法，其特征在于，针对清洗的反应腔，使得沉积工艺的时间延长百分之一。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
