[发明专利]光学记录介质

说明书

相关申请的交叉参考

本申请要求于2013年4月26日提交的日本在先专利申请JP2013-094785的权益，其全部内容结合于此作为参考。

技术领域

本公开内容涉及包括相变记录层的光学记录介质。

背景技术

近年来，为了进一步增大存储容量，在光学记录介质中已经广泛地使用了用于多层化记录层的技术。已经为只重现型、一次写入型、和可重写型的各种光学记录介质进行了多层化技术的研究。

已经提出了包括两层结构的记录层的可重写多层光学记录介质，其中，第一记录层（L0层）、中间层、第二记录层（L2层）、以及光透射层依次堆叠在基板上。具有两层结构的光学记录介质使用可以透过用于在/从第一记录层进行记录/再生的激光束的记录层（下文中，可以称为“半透射记录层”）作为第二记录层。

第二记录层包括介电材料、金属、以及相变记录材料等的堆叠，使得可以表现出记录/再生性能。通常，第二记录层具有第一介电层、金属反射层、第二介电层、相变记录层、以及第三介电层依次堆叠在基板上的结构（例如，参照国际公开第2008/018225号）。

发明内容

理想地是提供一种具有良好的记录特性并且能够抑制缺陷发生的光学记录介质。

根据本公开内容的实施方式，一种光学记录介质，包括：记录层，包括反射层、两个介电层、以及相变记录层。两个介电层中的相变记录层侧的介电层含有氧化钽或者由氧化硅、氧化铟、氧化锆组成的复合氧化物。两个介电层中的反射层侧的介电层含有由氧化硅、氧化铟、以及氧化锆组成的复合氧化物，由氧化铟和氧化镓组成的复合氧化物，或者由氧化锌和氧化铝组成的复合氧化物。

根据本公开另一实施方式的光学记录介质包括：记录层，包括第一介电层、反射层、第二介电层、相变记录层、以及第三介电层。第二介电层包括两个介电层，两个介电层中的相变记录层侧的介电层含有氧化钽或者由氧化硅、氧化铟、氧化锆组成的复合氧化物。两个介电层中的反射层侧的介电层含有由氧化硅、氧化铟、以及氧化锆组成的复合氧化物，由氧化铟和氧化镓组成的复合氧化物，或者由氧化锌和氧化铝组成的复合氧化物。

在本技术中，优选地，记录层设置在基板上，并且覆盖层设置在记录层上。覆盖层的厚度没有特别限制，并且覆盖层包括基板、片、或者涂层。考虑到使用高NA（数值孔径）物镜，高密度光学记录介质优选地包括诸如片或涂层的透光薄层作为覆盖层，并且具有其中通过从透光层侧用光照射来记录或再生信息信号的配置。在该情况下，还可以使用不透明基板。根据光学记录介质的格式，用于记录或再生信息信号的光的入射表面适当地布置在覆盖层侧表面和基板侧表面的至少一个上。

光学记录介质包括多个记录层，其中至少一个优选地是具有上述配置的记录层。

在本技术中，具有上述配置的记录层优选地是透射记录层。术语“透射记录层”是指如下的记录层：其被配置为允许透射用于记录或再生信息信号的光，从而可以在从光照射表面看时布置于透射记录层后面的记录层上进行记录和再生。术语“光照射表面”是指光学记录介质的表面中的、以用于记录或再生信息信号的光照射的表面。因此，当记录层是透射记录层时，记录层设置在从照射表面看最内部的记录层前面，照射表面被用于记录或再生信息信号的光照射。

鉴于透射率的提高，两个介电层的记录层侧介电层优选地含有氧化钽。具有该配置的透射记录层特别优选地应用于具有包括三层以上的多层结构的光学记录介质。结果，可以实现良好的光学特性和记录特性。

在本技术中，两个介电层的相变记录层侧介电层含有氧化钽或者由氧化硅、氧化铟、氧化锆组成的复合氧化物，因此可以赋予相变记录层良好的助晶作用。两个介电层的反射层侧介电层含有由氧化硅、氧化铟、以及氧化锆组成的复合氧化物，由氧化铟和氧化镓组成的复合氧化物，或者由氧化锌和氧化铝组成的复合氧化物，因此可以抑制缺陷的发生。

如上所述，根据本技术，可以提供具有良好的记录特性并且能够抑制缺陷发生的光学记录介质。

附图说明

图1A是示出根据本公开内容的实施方式的光学记录介质的外观的实例的透视图；

图1B是示出根据本公开内容的实施方式的光学记录介质的配置的实例的示意横截面图；

图2A是示出图1B中示出的记录层L0的配置的实例的示意图；

图2B是示出图1B中示出的记录层L1的配置的实例的示意图；

图2C是示出图1B中示出的记录层L2的配置的实例的示意图；

图3是示出参考例1-1至1-3的光学记录介质的DOW（直接重写）特性的评价结果的图表；