[发明专利]光学记录介质在审
| 申请号： | 201410159013.3 | 申请日： | 2014-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN104123953A | 公开（公告）日： | 2014-10-29 |
| 发明（设计）人： | 猪狩孝洋;渡边诚 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | G11B7/2433 | 分类号： | G11B7/2433;G11B7/24038 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光学 记录 介质 | ||
1.一种光学记录介质，包括：
记录层，包括反射层、两个介电层、以及相变记录层，
其中，所述两个介电层中的所述相变记录层侧的介电层含有氧化钽或者由氧化硅、氧化铟、氧化锆组成的复合氧化物；以及
所述两个介电层中的所述反射层侧的介电层含有由氧化硅、氧化铟、以及氧化锆组成的复合氧化物，由氧化铟和氧化镓组成的复合氧化物，或者由氧化锌和氧化铝组成的复合氧化物。
2.根据权利要求1所述的光学记录介质，其中，所述相变记录层含有铋、锗、碲、和银。
3.根据权利要求2所述的光学记录介质，其中，银的含量相对于铋、锗、碲、和银的总量在2.0原子百分比以上且3.5原子百分比以下的范围内。
4.根据权利要求1所述的光学记录介质，
其中，所述两个介电层中的所述反射层侧的介电层含有由氧化硅、氧化铟、以及氧化锆组成的复合氧化物；以及
铟的含量相对于硅、铟、锆的总量在66.7原子百分比以上且94.7原子百分比以下的范围内。
5.根据权利要求1所述的光学记录介质，其中，所述两个介电层中的所述反射层侧的介电层的厚度在3nm以上且20nm以下的范围内。
6.根据权利要求1所述的光学记录介质，其中，所述两个介电层中的所述相变记录层侧的介电层含有氧化钽。
7.根据权利要求1所述的光学记录介质，其中，所述反射层含有银。
8.根据权利要求1所述的光学记录介质，其中，所述相变记录层是透射记录层。
9.根据权利要求1所述的光学记录介质，其中，所述两个介电层中的所述反射层侧的介电层含有由氧化硅、氧化铬、氧化锆组成的复合氧化物。
10.一种光学记录介质，包括：
记录层，包括第一介电层、反射层、第二介电层、相变记录层、以及第三介电层，
其中，所述第二介电层包括两个介电层；
所述两个介电层中的所述相变记录层侧的介电层含有氧化钽或者由氧化硅、氧化铟、氧化锆组成的复合氧化物；以及
所述两个介电层中的所述反射层侧的介电层含有由氧化硅、氧化铟、以及氧化锆组成的复合氧化物，由氧化铟和氧化镓组成的复合氧化物，或者由氧化锌和氧化铝组成的复合氧化物。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼公司，未经索尼公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410159013.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
