[发明专利]一种提高数据存储稳定性的缓存方法在审

专利信息
申请号: 201410158100.7 申请日: 2014-04-21
公开(公告)号: CN105005533A 公开(公告)日: 2015-10-28
发明(设计)人: 魏巍;杨海舟 申请(专利权)人: 西安光向信息科技有限公司
主分类号: G06F12/02 分类号: G06F12/02;G06F12/08;G09G3/32
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 710075 陕西省西安*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 提高 数据 存储 稳定性 缓存 方法
【说明书】:

技术领域

    本发明提供了一种提高数据存储稳定性的缓存方法,涉及数据存储领域,用于系统存储过程进行数据的缓存。通过对储存芯片的读写功能交替使用以提高缓存的性能和效率。

背景技术

在LED大屏的FPGA驱动电路中,通常需要利用大容量的两片存储芯片作为缓冲,即一片进行存储时另一片进行读取并移位上屏。存储芯片一般使用SRAM或SDRAM。

然而现有技术不管使用SRAM还是SDRAM,都需要利用帧同步信号vsync来进行读写切换,进而相应的每次大屏刷新操作需要由vsync来同步,这导致灵活性差;同时因为需要vsync的同步,不仅仅每次刷新要控制在一个vsync周期内部,因此时间分配需要小心仔细设计;而且,LED大屏的刷新率受到vsync频率的直接影响。

发明内容

由于现有数据缓存技术需要vsync的同步,会导致灵活性差、易出错、影响刷新频率等问题,所以先提出一种稳定性数据存储器的缓存方法

本发明提供的一种稳定性数据存储器的缓存方法,能够在保证数据缓存成功的同时提高稳定性、可靠性、灵活性。主要包括以下模块:读写选择模块、地址映射模块、数据输出模块、读写切换模块。

进一步的,所述的读写选择模块,即通过设置读写切换信号sel的值,来确定芯片的读写状态,具体来讲,当sel的值等于0时芯片A处于写状态,芯片B处于读状态;当sel的值等于1时芯片A处于读状态,芯片B处于写状态;

进一步的,所述的地址映射模块,即设置模块写地址WADR和模块读地址RADR,当sel的值等于0时WADR被映射道芯片A的地址上,RADR被映射道芯片B的地址上。当sel的值等于1是情况相反;

进一步的,所述的数据输出模块,即设置数据输入DI和数据输出DO,当信号sel的值等于0时DI送入芯片A的数据线,而芯片B的数据线上的内容被输送道DO上;当信号sel的值等于1时情况相反;

进一步的,所述的读写切换模块,即当每一帧结束后,信号sel的值都要进行翻转,以实现读写切换,重点在信号sel的值的翻转使用读写时钟clk同步,该信号为读和写共用时钟来,即统一在clk信号脉冲的上升沿或下降沿对信号sel的值进行翻转更新;

本发明提供的一种稳定性数据存储器的缓存方法,选取两片SRAM作为储存器,首先通过设置读写切换信号来确定该芯片为读状态或者写状态,将读、写地址映射到对应的读、写芯片地址上,再将数据通过对应的数据线输入到芯片内部,当一帧数据传输完毕后翻转读写切换信号,将储存器读写状态进行交换,如此更替。外界在写此模块时,只要送入写地址和要写入的数据即可,不必关心具体写入了哪个芯片中;外界在读取模块时,只需要送入读地址同时取走相应的数据即可,而不必担心具体从哪个芯片中读出来的。与现有技术相比,能够在保证数据缓存成功的同时提高稳定性、可靠性、灵活性。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。

本发明实施例提供一种提高LED显示屏灰度等级的方法,包括:

101采用两片SRAM,作为读写缓冲存储芯片,并分别用A和B来命名;

102设置读写切换信号信号sel的值,sel的值等于0时芯片A处于写状态,芯片B处于读状态;

103设置模块写地址WADR和模块读地址RADR,当sel的值等于0时WADR被映射道芯片A的地址上,RADR被映射道芯片B的地址上。当sel的值等于1是情况相反;

104设置数据输入DI和数据输出DO,当sel的值等于0时DI送入芯片A的数据线,而芯片B的数据线上的内容被输送道DO上;当sel的值等于1时情况相反;

105当每一帧结束后,sel的值都要进行翻转,以实现读写切换,重点在sel的值的翻转使用读写时钟clk来同步,该信号为读和写共用时钟,即统一在clk信号脉冲的上升沿或下降沿对sel的值进行翻转更新。

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