[发明专利]带有不连续保护环的集成电路芯片

权利要求书

1.一种电子装置，包括：

半导体衬底;

被放置在所述半导体衬底中并由其支撑并且包括电感器的电路块;以及

围绕所述电路块的不连续噪声隔离保护环，并且所述噪声隔离保护环包括：

由所述半导体衬底支撑的金属环;以及

被放置在所述半导体衬底中，有掺杂浓度水平，并且电耦合于所述金属环以抑制所述半导体衬底中的噪声到达所述电路块的环形区域;

其中所述金属环具有第一间隙并且所述环形区域具有第二间隙。

2.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述第一间隙和第二间隙彼此不对准。

3.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述金属环延伸跨所述环形区域内的所述第二间隙。

4.根据权利要求1所述的电子装置，其中：

所述金属环包括第一金属层和第二金属层;

所述第一金属层包括第一金属层间隙;

所述第二金属层包括第二金属层间隙;以及

所述第一金属层间隙和第二金属层间隙彼此不对准。

5.根据权利要求4所述的电子装置，其中所述环形区域内的所述第二间隙不与所述第一金属层间隙对准且不与所述第二金属层间隙对准。

6.根据权利要求4所述的电子装置，其中：

所述第一金属层和第二金属层包括所述第一金属层间隙和第二金属层间隙在其处被限定的各自指；以及

所述各自指的横向宽度大于所述金属环的其余部分的横向宽度。

7.根据权利要求4所述的电子装置，其中所述第一金属层间隙和第二金属层间隙的长度短于所述环形区域内的所述间隙的长度。

8.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述环形区域内的所述第二间隙包括被放置在所述半导体衬底的表面处的沟槽隔离区域。

9.根据权利要求8所述的电子装置，其中所述环形区域内的所述第二间隙进一步包括位于所述半导体衬底中相邻于所述沟槽隔离区域的p-阱块区域。

10.根据权利要求1所述的电子装置，其中：

所述不连续噪声隔离保护环在沿着所述不连续噪声隔离保护环的接地点处被连接到地面；以及

所述第一间隙和第二间隙沿着所述不连续噪声隔离保护环相对于所述接地点被放置以建立所述不连续噪声隔离保护环的一对阻抗对称段。

11.根据权利要求1所述的电子装置，其中：

所述不连续噪声隔离保护环在沿着所述不连续噪声隔离保护环接近噪声源的位置处被连接到地面；以及

所述第一间隙和第二间隙沿着所述不连续噪声隔离保护环远离所述噪声源的位置处被放置。

12.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述金属环具有非均匀横向宽度。

13.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述第一间隙和第二间隙被配置以减小与所述电感器的电磁耦合。

14.一种集成电路IC芯片，包括：

半导体衬底;

被放置在所述半导体衬底中并由其支撑并且包括电感器的电路块;以及

不连续噪声隔离保护环，围绕所述电路块，在沿着所述不连续噪声隔离保护环的接地点处被连接到地面，并且所述不连续噪声隔离保护环包括：

由所述半导体衬底支撑的金属环;以及

被放置在所述半导体衬底中，具有掺杂浓度水平，并且电耦合于所述金属环以抑制所述半导体衬底中的噪声到达所述电路的环形区域;

其中所述金属环具有第一间隙并且所述环形区域具有第二间隙以减小与所述电感器的电磁耦合；以及

其中所述第一间隙和第二间隙彼此不对准。

15.根据权利要求14所述的IC芯片，其中所述第一间隙和第二间隙沿着所述不连续噪声隔离保护环相对于所述接地点被放置以建立一对具有阻抗对称长度的所述不连续噪声隔离保护环的段。

16.根据权利要求14所述的IC芯片，其中：

所述金属环包括第一金属层和第二金属层;

所述第一金属层包括第一金属层间隙;

所述第二金属层包括第二金属层间隙;以及

所述第一金属层间隙和第二金属层间隙彼此不对准。