[发明专利]图案化晶圆缺点检测系统及其方法有效
申请号: | 201410143477.5 | 申请日: | 2008-08-04 |
公开(公告)号: | CN103972124B | 公开(公告)日: | 2021-10-22 |
发明(设计)人: | 阿曼努拉·阿杰亚拉里;京林;春林·卢克·曾 | 申请(专利权)人: | 联达科技设备私人有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
地址: | 新加坡25加冷*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图案 化晶圆 缺点 检测 系统 及其 方法 | ||
1.一种检测半导体装置的方法,其特征在于,包括:
(a)藉由金模板层产生的系统生成两个或多个金模板,每一个金模板从半导体晶圆的不同区域生成,或从所述半导体晶圆的不同区域产生的多个金模板的组合中生成,所述半导体晶圆基于使用不同照明型号的不同照明特征被选择;
(b)在所述金模板层产生的系统中选择一第一金模板;
(c)将一个晶片图像与所述金模板层产生的系统中的所述第一金模板进行比较;
(d)确定所述晶片图像是否未通过与所述金模板层产生的系统中的所述第一金模板的对比;以及
(e)如果所述晶片图像未通过与所述金模板层产生的系统中的所述第一金模板的对比,则将所述晶片图像与所述金模板层产生的系统中的第二金模板进行比较;以及
(f)如果所述晶片图像未通过与所述第二金模板的对比,使用在所述金模板层产生的系统中的第三金模板,重复进行步骤(a)到(c),
其中,步骤(a)到(f)都是通过使用区分优选次序的金模板层级从不同金模板进行的,
其中,生成两个或多个金模板的所述金模板层产生的系统包括金模板层生成系统,晶圆选择系统,区域选择系统,区域金模板系统,组金模板系统以及主金模板系统和照明选择系统。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,将所述晶片图像与所述金模板层产生的系统中的所述第二金模板进行比较是为了避免当所述晶片图像未通过与所述金模板层产生的系统中的所述第一金模板的对比时所述晶片的误拒绝。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述金模板层产生的系统中的至少一个金模板是基于半导体晶片的图像而生成的,其中,所述半导体晶片位于不同的半导体晶圆上。
4.如权利要求1-3中任意一项所述的方法,其特征在于,将所述晶片图像与所述金模板层产生的系统中的所述第二金模板进行比较的步骤(e)包括:(g)如果晶片图像未通过与所述金模板层产生的系统中的第一金模板的对比,则在所述金模板层产生的系统中选择所述第二金模板;以及(h)如果晶片图像未通过与所述金模板层产生的系统中的第一金模板的对比,则将所述晶片图像与所述金模板层产生的系统中的选择的所述第二金模板进行比较。
5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,将所述晶片图像与所述金模板层产生的系统中的所述第二金模板进行比较的步骤(e)包括:
(i)在所述金模板层产生的系统中选择下一个金模板;
(j)将所述晶片图像与所述金模板层产生的系统中所选择的下一个金模板进行比较;以及
(k)重复步骤(i)和(j),直到没有另外的金模板,所述晶片被拒绝。
6.如权利要求5所述的方法,其特征在于,其中所述所选择的下一个金模板是在所述金模板层产生的系统中的另一个组金模板或区域金模板,且其中在所述金模板层产生的系统中的所述另一个组金模板或区域金模板选择下一个金模板的步骤包括,使用区分优选次序的金模板层级从所述金模板层产生的系统中的所述另一个组金模板或区域金模板中选择一个不同金模板或选择下一个金模板。
7.如权利要求1所述的方法,其特征在于,还包括一主金模板检测系统,组金模板检测系统,区域金模板检测系统以及通过未通过系统,以使得可和晶片图像相互对比,以判断是否半导体晶圆晶片可被接受或包含使半导体晶圆晶片不可接受的瑕疵。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造