[发明专利]调制驱动输出级电路有效
申请号: | 201410143134.9 | 申请日: | 2014-04-10 |
公开(公告)号: | CN103957059A | 公开(公告)日: | 2014-07-30 |
发明(设计)人: | 黄立;潘文光;马成炎 | 申请(专利权)人: | 嘉兴禾润电子科技有限公司 |
主分类号: | H04B10/516 | 分类号: | H04B10/516;H03K17/687;H03K17/06 |
代理公司: | 上海旭诚知识产权代理有限公司 31220 | 代理人: | 郑立 |
地址: | 314006 浙江省嘉兴市凌公塘*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 调制 驱动 输出 电路 | ||
1.一种调制驱动输出级电路,包括开关控制电路部分(22)和电流产生电路部分(21),其特征在于,所述调制驱动输出级电路接收一对差分输入电压(VIP、VIN),输出一对差分输出电流(IOP、ION);所述电流产生电路部分(21)包括第一晶体管(M1)、第二晶体管(M2)、第一基准电流源(IREF1)和第二基准电流源(IREF2),所述开关控制电路部分(21)包括第三晶体管(M3)、第四晶体管(M4)、第一反相器(INV1)和第二反相器(INV2);所述第一晶体管(M1)的漏极通过所述第一基准电流源(IREF1)连接电源电压(VDD),所述第二晶体管(M2)的漏极通过所述第二基准电流源(IREF2)连接电源电压(VDD);所述第三晶体管(M3)和所述第四晶体管(M4)的源极分别接地,所述第三晶体管(M3)的漏极连接于所述第一晶体管(M1)的源极,所述第四晶体管(M4)的漏极连接于所述第二晶体管(M2)的源极;所述一对差分输入电压中的第一差分电压(VIP)通过所述第一反相器(INV1)输入到所述第三晶体管(M3)的栅极,所述一对差分输入电压中的第二差分电压(VIN)通过第二反相器(INV2)输入到所述第四晶体管(M4)的栅极;所述第二晶体管(M2)的漏极输出所述一对差分输出电流中的第一差分电流(IOP),所述第一晶体管(M1)的漏极输出所述一对差分输出电流中的第二差分电流(ION)。
2.根据权利要求1所述的调制驱动输出级电路,其特征在于,所述开关控制电路部分(22)还包括第五晶体管(M5)、第六晶体管(M6)、第三反相器(INV3)和第四反相器(INV4),所述第三反相器(INV3)的输入端连接于所述第一反相器(INV1)的输出端,所述第三反相器(INV3)的输出端连接于所述第五晶体管(M5)的栅极,所述第五晶体管(M5)的源极与漏极分别连接于所述第三晶体管(M3)的漏极,所述第四反相器(INV4)的输入端连接于所述第二反相器(INV2)的输出端,所述第四反相器(INV4)的输出端连接于所述第六晶体管(M6)的栅极,所述第六晶体管(M6)的源极与漏极分别连接于所述第四晶体管(M4)的漏极。
3.根据权利要求2所述的调制驱动输出级电路,其特征在于,所述第一晶体管(M1)、所述第二晶体管(M2)、所述第三晶体管(M3)和所述第四晶体管(M4)均为NMOS场效应管,所述第五晶体管(M5)与所述第六晶体管(M6)均为PMOS场效应管。
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