[发明专利]一种以二甲基亚砜为溶剂的墨水制备Cu2ZnSnS4薄膜的方法无效
申请号: | 201410140916.7 | 申请日: | 2014-04-10 |
公开(公告)号: | CN103928569A | 公开(公告)日: | 2014-07-16 |
发明(设计)人: | 汪浩;王先明;刘晶冰;严辉;朱满康;王波 | 申请(专利权)人: | 北京工业大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人: | 刘萍 |
地址: | 100124 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 二甲基亚砜 溶剂 墨水 制备 cu sub znsns 薄膜 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种以二甲基亚砜为溶剂的墨水制备Cu2ZnSnS4太阳能电池吸收层薄膜的方法。在较低的温度范围内,使用二甲基亚砜作为溶剂,配置稳定的墨水体系,可以克服以往铜锌锡硫纳米晶墨水合成过程中碳,氧元素的引入。属于功能纳米材料的制备技术领域。
背景技术
太阳能光伏的产业的出现,无疑是为科技高速发展的今天所面临的能源,环境等危机带来了一缕阳光。太阳能被认为是取之不尽,用之不竭的绿色能源。从1887年光生伏特现象的发现,到1949年p-n结工作原理的理论解释,到1954年第一块真正意义上的硅太阳电池的发明,再到如今太阳电池产量每年近30%的增长速度,无不显示出太阳能光伏技术无论是理论研究还是实际工艺都在迅速发展,也无不显示出它在研究学者和产业界人士心中的重要地位。
目前,太阳能产业化占主导地位的是单晶硅太阳能电池、非晶硅太阳能电池和铜铟镓硒(CuIn1-xGaxSe2,简称CIGS)薄膜太阳能电池。但是晶体硅太阳能电池成本高,在搭理推广中受到制约;非晶硅薄膜太阳能电池由于材料固有的亚稳态和多缺陷的特性造成电池稳定性较低,有严重的光致效率衰退效应,大面积光电转换效率难以进一步提高;CIGS则大量使用了两种低丰度元素In(0.049ppm)和Se(0.05ppm)。尤其是稀有元素In,目前每年In的产量只有1200-1300吨,其中一半用于平面显示行业的ITO薄膜,留给CIGS电池的发展空间非常有限,所以CIGS电池的发展空间非常有限。
近年来,新的铜硫系材料铜锌锡硫(Cu2ZnSnS4,简称CZTS)引人注目。锌黄锡矿结构的CZTS与黄铜矿结构的CIGS晶体结构相似,且具有较高的光吸收系数(>104cm-1),禁带宽度约1.50eV,与太阳能电池所需要的最佳禁带宽度相匹配。而且CZTS电池采用的均为丰度较高且绿色环保的元素:Cu(50ppm)、Zn(75ppm)、Sn(2.2ppm)、S(260ppm),从而可以大大降低生产成本,且其中不含有毒成分。可望成为新一代首选的可代替CIGS的光电功能材料。
CZTS的制备方法可以分为两类:第一类是以电子束沉积、磁控溅射、脉冲激光沉积等为代表的真空沉积方法。但是真空沉积方法所用设备昂贵,难以大面积成膜。原材料利用率低,在化学计量和物相上难以得到很好的重复性,导致制造成本过高;第二类是以电化学沉积、溶胶-凝胶法、分子级全溶液、纳米晶墨水涂膜法等为代表的非真空沉积方法。值得一提的是,迄今为止采用真空方法制备CZTS薄膜的电池转换效率最高值仅为8.4%,而目前CZTS薄膜太阳能电池的最高转换效率达11%,其CZTS吸收层薄膜的制备方法为首先采用前躯体墨水溶液旋涂技术,再经过硒化退火处理。尽管该方法创造了CZTS基太阳能电池的最高转换效率记录,但这些记录与CZTS薄膜电池的理论转换效率32.2%相比仍然有很大的差距,更重要的是在该工艺采用有毒且安全性差的肼为溶剂,且在空气中稳定性差,无法大规模应用。这些问题的存在,使得它们在大规模工业化方面具有一定的限制。
因而,有必要开发新的低碳、低毒型溶剂以取代有毒的肼;探索一种合适的成膜工艺,改变工艺条件促进晶粒的长大,提高薄膜的载流子迁移率,以便完善太阳能电池用CZTS薄膜的非真空溶液制备工艺。
发明内容
本发明目的在于提供一种工艺简单、安全无毒、成本低、适用大规模生产的以二甲基亚砜为溶剂配制的墨水制备Cu2ZnSnS4太阳能电池吸收层薄膜的方法。
本发明的技术方案是:
一种以二甲基亚砜为溶剂的墨水制备Cu2ZnSnS4薄膜的方法,其特征在于按如下的步骤进行:
a)按照Cu:(Zn+Sn):S摩尔比0.8:1:3称取氯化铜、氯化锌和氯化锡,分别用二甲基亚砜溶解,持续搅拌待完全溶解后将三者混合得到混合液,按照Zn:Sn摩尔比1.2:1的比例向上述混合液中加入硫代乙酰胺待其完全溶解后,向其中滴加乙醇胺溶液,当颜色变为黑色时停止滴加,即配制成可用于制备Cu2ZnSnS4太阳能电池吸收层薄膜的墨水;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京工业大学,未经北京工业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410140916.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种冻干番茄蛋花汤及其生产工艺
- 下一篇:一种冻干菠菜蛋花汤及其生产工艺
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的