[发明专利]一种以二甲基亚砜为溶剂的墨水制备Cu2ZnSnS4薄膜的方法无效
| 申请号： | 201410140916.7 | 申请日： | 2014-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN103928569A | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | 汪浩;王先明;刘晶冰;严辉;朱满康;王波 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 刘萍 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 二甲基亚砜 溶剂 墨水 制备 cu sub znsns 薄膜 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种以二甲基亚砜为溶剂的墨水制备Cu2ZnSnS4薄膜的方法，其特征在于按如下的步骤进行：
a）按照Cu:（Zn+Sn）:S摩尔比0.8:1:3称取氯化铜、氯化锌和氯化锡，分别用二甲基亚砜溶解，持续搅拌待完全溶解后将三者混合得到混合液，按照Zn:Sn摩尔比1.2：1的比例向上述混合液中加入硫代乙酰胺待其完全溶解后，向其中滴加乙醇胺溶液，当颜色变为黑色时停止滴加，即配制成可用于制备Cu2ZnSnS4太阳能电池吸收层薄膜的墨水；
b）将a中所述墨水滴在镀Mo衬底的钠钙玻璃上，采用500rmp转速进行旋涂，在180℃下干燥3min，然后再重复上述操作0-100次，制备出一定厚度的Cu-Zn-Sn-S预制层薄膜；
c）热处理：将步骤b干燥后的Cu-Zn-Sn-S预制层薄膜，进行硒化退火处理形成Cu2ZnSnS4薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种以二甲基亚砜为溶剂的墨水制备Cu2ZnSnS4薄膜的方法，其特征在于，其中的热处理具体为：首先从室温升至200℃，升温速度3℃/min，保温30min；然后再将温度升至400℃-550℃，硒粒转化为蒸汽，升温速度3℃/min，保温30min后自然冷却至室温完成硒化过程。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
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