[发明专利]NOR闪存的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种改善隧道氧化层均匀性的NOR闪存的制造方法。

背景技术

随着便携式电子设备的高速发展，对数据存储的要求越来越高。通常，用于存储数据的半导体存储器分为易失性存储器和非易失性存储器，易失性存储器易于在电源断电时丢失数据，而非易失性存储器即使在电源中断时仍可保持数据。因此，非易失性存储器成为便携式电子设备中最主要的存储部件，并已经被广泛的应用。

在非易失性存储器中，闪存（flash memory）由于其很高的芯片存储密度，以及较佳的工艺适应性，已经成为一种极为重要的器件。通常闪存可以分为NAND闪存和NOR闪存。如图1所示为现有技术中的NOR闪存的结构示意图。包括在衬底10上形成的栅极结构11，栅极结构11包括一隧道氧化层（tunnel oxide layer）111。

NOR闪存对隧道氧化层111的质量要求非常高，不仅要求无缺陷、高密度，更要求厚度的均匀性要好。这是因为NOR闪存最重要的产品质量指标是数据保持力（Retention）和编程擦除循环次数（Cycling）,隧道氧化层的厚度均匀性不好直接导致的后果是Retention和Cycling失效。目前，由于硅各晶面炉管氧化速率差异，特别是在有源区的边缘（corner）由于应力的影响，造成隧道氧化层111的均匀性受到限制，表现为隧道氧化层111在有源区的边缘比在有源区的中心薄，考虑到例如尖端放电等因素，较薄的边缘直接影响的是隧道氧化层的可靠性（Reliability）的退化。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种NOR闪存的制造方法，改善现有技术中容易隧道氧化层厚度不均匀的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种NOR闪存的制造方法，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上依次沉积隧道氧化层和浮栅；

刻蚀所述浮栅、隧道氧化层及半导体衬底形成浅沟槽；

在所述浅沟槽中形成衬垫氧化层，并由衬垫氧化层产生鸟嘴效应，使得隧道氧化层边缘的厚度大于等于中间的厚度。

进一步的，对于所述的NOR闪存的制造方法，所述隧道氧化层的厚度为90

进一步的，对于所述的NOR闪存的制造方法，所述衬垫氧化层的厚度为

进一步的，对于所述的NOR闪存的制造方法，在所述半导体衬底上沉积隧道氧化层之前，还包括：

在所述半导体衬底上沉积一缓冲氧化层；

进行阱注入；

去除所述缓冲氧化层。

进一步的，对于所述的NOR闪存的制造方法，在所述浅沟槽中形成衬垫氧化层之后，还包括：进行浅沟槽隔离的制作。

进一步的，对于所述的NOR闪存的制造方法，所述浅沟槽隔离的制作包括：

填充隔离氧化物，所述隔离氧化物的顶端高于所述浮栅；

进行平坦化工艺，使得所述隔离氧化物与浮栅处于同一平面；

回刻所述隔离氧化物，去除位于相邻浮栅之间的部分。

进一步的，对于所述的NOR闪存的制造方法，采用高密度等离子体化学气相沉积氧化硅以形成隔离氧化物。

进一步的，对于所述的NOR闪存的制造方法，所述平坦化工艺为化学机械研磨。

进一步的，对于所述的NOR闪存的制造方法，在所述浅沟槽隔离制作完成后，还包括：

沉积ONO层，所述ONO层覆盖所述浅沟槽隔离与浮栅；

控制栅的形成。

与现有技术相比，本发明提供的NOR闪存的制造方法中，包括先进行隧道氧化层和和浮栅的沉积，之后形成浅沟槽，并在浅沟槽中形成衬垫氧化层。相比现有技术，本发明中利用在浅沟槽中形成的衬垫氧化层的鸟嘴效应，使得隧道氧化层边缘的厚度大于等于中间的厚度，从而大大的提高了NOR闪存的可靠性。

附图说明

图1为一种现有技术中NOR闪存的示意图；

图2为本发明实施例NOR闪存的制造方法的流程图；

图3-图9为本发明实施例NOR闪存的制造方法的过程中器件结构示意图。

具体实施方式

下面将结合示意图对本发明的NOR闪存的制造方法进行更详细的描述，其中表示了本发明的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本发明，而仍然实现本发明的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本发明的限制。