[发明专利]NOR闪存的制造方法在审
| 申请号： | 201410138771.7 | 申请日： | 2014-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN103904037A | 公开（公告）日： | 2014-07-02 |
| 发明（设计）人： | 周俊 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | nor 闪存 制造 方法 | ||
1.一种NOR闪存的制造方法，包括：
提供半导体衬底；
在所述半导体衬底上依次沉积隧道氧化层和浮栅；
刻蚀所述浮栅、隧道氧化层及半导体衬底形成浅沟槽；
在所述浅沟槽中形成衬垫氧化层，并由衬垫氧化层产生鸟嘴效应，使得隧道氧化层边缘的厚度大于等于中间的厚度。
2.如权利要求1所述的NOR闪存的制造方法，其特征在于，所述隧道氧化层的厚度为
3.如权利要求2所述的NOR闪存的制造方法，其特征在于，所述衬垫氧化层的厚度为
4.如权利要求1所述的NOR闪存的制造方法，其特征在于，在所述半导体衬底上沉积隧道氧化层之前，还包括：
在所述半导体衬底上沉积一缓冲氧化层；
进行阱注入；
去除所述缓冲氧化层。
5.如权利要求1所述的NOR闪存的制造方法，其特征在于，在所述浅沟槽中形成衬垫氧化层之后，还包括：进行浅沟槽隔离的制作。
6.如权利要求5所述的NOR闪存的制造方法，其特征在于，所述浅沟槽隔离的制作包括：
填充隔离氧化物，所述隔离氧化物的顶端高于所述浮栅；
进行平坦化工艺，使得所述隔离氧化物与浮栅处于同一平面；
回刻所述隔离氧化物，去除位于相邻浮栅之间的部分。
7.如权利要求6所述的NOR闪存的制造方法，其特征在于，采用高密度等离子体化学气相沉积氧化硅以形成隔离氧化物。
8.如权利要求6所述的NOR闪存的制造方法，其特征在于，所述平坦化工艺为化学机械研磨。
9.如权利要求6所述的NOR闪存的制造方法，其特征在于，在所述浅沟槽隔离制作完成后，还包括：
沉积ONO层，所述ONO层覆盖所述浅沟槽隔离与浮栅；
控制栅的形成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
