[发明专利]一种高导热塞孔材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201410138278.5 申请日: 2014-04-08
公开(公告)号: CN103881308A 公开(公告)日: 2014-06-25
发明(设计)人: 王靖;崔成强 申请(专利权)人: 安捷利(番禺)电子实业有限公司
主分类号: C08L63/00 分类号: C08L63/00;C08K9/10;C08K3/08;C08K5/12;C08K5/07
代理公司: 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 代理人: 肖云
地址: 511458 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 导热 材料 及其 制备 方法
【说明书】:

技术领域

本发明属于电子材料技术领域,特别涉及一种高导热塞孔材料及其制备方法。

背景技术

随着电子产品的不断发展,特别是半导体芯片的高集成化与I/O(输入/输出)数的迅速增加,高密度安装技术的飞快发展,迫切要求安装基板—印刷电路板(PCB)成为具有高密度、高精度、高可靠及低成本要求的能够大幅度提高组装密度的电子元部件。这同时也体现了对印刷电路板的塞孔工艺及塞孔材料的高要求。公开号为CN103387736的中国专利申请公开了一种环氧树脂复合材料,其具有较好的介电常数和良好的柔软性,可作为柔性电路板的塞孔树脂材料使用。

目前,在印刷电路板行业中,特别是大功率器件封装领域中,塞孔材料的研发和应用虽然取得了一些进展,但在导热性能、耐温特性等方面还存在需要改善之处。

发明内容

本发明提供一种高导热塞孔材料,该塞孔材料具有高热导率、稳定性好的特点。

本发明为达到其目的,采用的技术方案如下:

一种高导热塞孔材料,所述塞孔材料其配方中含有塞孔树脂和银包铜粉,其中,塞孔树脂和银包铜粉的质量比为1:(1.5~2)。

优选的,所述银包铜粉其粒径为1~5μm,含银量为5~10wt%。本申请的发明人发现,在塞孔材料配方体系中,采用粒径为1~5μm,含银量为5~10%的银包铜粉,所得的塞孔材料其流动性更好,热导率较高,塞孔效果较佳。而银包铜粉的粒径过小的话,其具有更大的比表面积,更容易发生团聚现象,与塞孔树脂混合后,流动性较差,塞孔效果不佳;而银包铜粉粒径过大的话,颗粒间的空隙更大,造成塞孔材料的导热通道减少,固化后材料的热导率会降低。

进一步的,所述塞孔树脂为一液型热固化性环氧树脂,例如:可选用台湾联致工业公司的FHR-9系列、苏州太阳油墨公司的THP-100系列等树脂。

所述塞孔材料其配方中还进一步含有树脂稀释剂、增塑剂和分散剂。掺入增塑剂和分散剂,可进一步改善塞孔材料的性能。

配方中,塞孔树脂和树脂稀释剂的质量比为1:(0.02~0.05)。配方中,所述增塑剂其质量为银包铜粉质量的0.02~0.05%,所述分散剂为银包铜粉质量的0.05~0.08%。

进一步的,所述树脂稀释剂具体可为异佛尔酮,所述增塑剂具体可为邻苯二甲酸二丁酯,所述分散剂具体可为D-3021,具体可选用罗门哈斯公司生产的产品。

本发明第二方面提供一种制备如上文所述的高导热塞孔材料的方法,包括如下步骤:

1)将塞孔树脂加入到树脂稀释剂中,搅拌以降低塞孔树脂的粘稠度,粘度约为60~80Pa·s;

2)按照塞孔树脂和银包铜粉的质量比为1:(1.5~2)的量称取银包铜粉,向银包铜粉中加入增塑剂和分散剂;

3)将步骤1)中稀释后的塞孔树脂、及步骤2)中混合有增塑剂和分散剂的银包铜粉转移入球磨罐中,向其中加入球磨介质,研磨混合4~6小时;

4)将步骤3)研磨后所得的物料转移至真空蒸发仪中,陈化2~6小时,在真空条件下去除球磨介质,当物料粘度达到40~50Pa·s时,将物料从真空蒸发仪中取出,得到高导热塞孔材料。

进一步的,所述球磨介质具体可为无水乙醇、丙酮中的至少一种,球磨介质其用量为银包铜粉质量的0.08~0.1%。

在步骤4)中,在20~25℃、真空度为0.07~0.08MPa的条件下去除球磨介质。

制备方法中,所述银包铜粉优选其粒径为1~5μm,含银量为5~10wt%。塞孔树脂和树脂稀释剂二者用量的质量比优选为1:(0.02~0.05)。所述增塑剂其用量优选为银包铜粉质量的0.02~0.05%,所述分散剂其用量优选为银包铜粉质量的0.05~0.08%。

本发明的塞孔材料配方体系中,塞孔树脂和银包铜粉按照质量比1:(1.5~2)的比例配合,制得的塞孔材料其具有良好的热导率,良好的耐温特性,以及很好的化学稳定性和尺寸稳定性。所制得的塞孔材料固化后,其导热系数为100~150W/(K·m),线性膨胀系数约为15×10-6/K,完全胜任高功率器件工作时,需求的热导率和线膨胀匹配问题。

本发明在制备塞孔材料时,以球磨工艺混合获得具有高导热、高稳定性热固性塞孔材料,本发明材料可用来给印刷电路板塞孔,特别适用于大电流密度场合,可解决器件运行过程中局部过热的问题。

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