[发明专利]一种阵列基板及其制造方法、液晶显示屏

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示屏技术领域，尤其涉及一种高级超维场转换技术(AD-SDS)模式的阵列基板及其制造方法、液晶显示屏。

背景技术

高级超维场转换技术(Advanced-Super Dimensional Switing，AD-SDS)是平面电场宽视角核心技术，其通过统一平面内像素电极边缘所产生的平行电场以及像素电极层与公共电极层间产生的纵向电场形成多维电场，使液晶盒内像素电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转转换，从而提高了平面取向系液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场转换技术可以提高TFT-LCD(薄膜晶体管-液晶显示屏)画面品质，具有高透过率、宽视角、高开口率、低色差、低响应时间、无挤压水波纹等优点。

AD-SDS显示模式的TFT液晶显示屏的工作方式均需要一个公共电极。对公共电极电平为直流的TFT液晶显示屏，理想状态下公共电极电压为稳定的电平。但是实际显示过程中，由于栅线和数据线上信号的变化，时常会通过公共电极与栅线和数据线间的耦合电容而影响公共电极的电压，使其不能保持稳定的电平。在显示屏尺寸较小的情况下，公共电极的尺寸较小且与栅线和数据信号线的交叠面积较小，所以公共电极的电阻值及其寄生电容值较小，公共电极电位受到的影响也较小，因此公共电极电压可以维持的较好且在整个面板的均一性比较好。

图1示出了现有技术中TFT液晶显示屏的结构示意图，图2(a)～图2(b)示出了现有技术中TFT液晶显示屏的制作工艺流程图。如图1及2所示，所述TFT液晶显示屏包括：基板101、公共电极102、栅极层103、有源层及源漏极104、钝化层105、像素电极106。从图2(b)可以看出，栅极层103上刻蚀形成有栅线1031、公共电极上方的公共电极信号线1032和公共电极下方的过孔区域1033。公共电极信号从外部输入点输入后，在水平方向的像素单元之间通过水平方向上的公共电极信号线1032传输，而在竖直方向即上下两行像素单元之间通过公共电极102上ITO材料传输至公共电极下方的过孔区域1033，然后通过连通过孔区域1033和下一行公共电极信号线之间的跳线传输下一行像素单元。公共电极102通常选用ITO材料，而一般ITO的方块电阻是金属层方块电阻的好几百倍，由于水平方向的多个像素单元的公共电极之间的公共电极信号线1032由栅极层103形成，而栅极层通常是金属材料构成，因此公共电极水平方向的电阻值即水平方向多个像素单元公共电极之间的公共电极信号线上的电阻值远小于竖直方向即公共电极信号线和过孔区域间的电阻值。由于水平方向上公共电极电压信号通过公共电极信号线传输，而竖直方向上通过公共电极传输至所述过孔区域，传输至所述过孔区域的公共电极信号通过跳线传输至下方像素单元的公共电极信号线，所述跳线用于连接所述过孔区域和下方像素单元的公共电极信号线，且由像素电极层即ITO层构成。因此，当液晶显示屏尺寸较大时，公共电极的尺寸较大且与栅线和数据信号线的交叠面积较大，因此公共电极受到的总体影响较大，且由于尺寸较大，距离公共电极信号输入点较远处的公共电极电压受到的影响不容易恢复，如此就会引起像素液晶偏转电压，导致显示色彩的差异。且由于人眼对绿色比较敏感，因此所看到的某些显示图案是显示屏整体画面偏绿。因此，为减小画面偏绿的现象，需要降低公共电极的电阻值。

发明内容

本发明所要解决的问题是如何减少公共电极上的电阻，以避免液晶显示屏整体画面偏绿的问题。

根据本发明一方面，其提供了一种阵列基板，其包括：栅线、与所述栅线交叉设置的数据线、公共电极信号线以及由所述栅线和所述数据线划分出的多个像素，每个像素内包括驱动晶体管、与所述驱动晶体管的源极和漏极之一相连的像素电极以及与所述公共电极信号线电连接的公共电极，所述驱动晶体管的源极和漏极之另一个与所述数据线相连，所述公共电极信号线与所述栅线同层形成并与所述栅线同向延伸，其中，每个像素内还包括：与所述公共电极信号线同层形成并延所述数据线方向延伸的公共电极连通线，所述公共电极连通线与所述公共电极信号线以及所述公共电极电连接。

其中，所述公共电极连通线经由过孔和跳线连接下一行像素单元的公共电极信号线。

其中，所述跳线与像素电极以相同材料同层形成。

其中，所述跳线由辅助导电层和所述像素电极所在的层层叠而成。

其中，所述栅线采用金属或金属化合物材料制成。

其中，所述栅线采用钕化铝、铝、铜、钼、钨化钼、或铬中的一种或多种的组合制成。