[发明专利]一种阵列基板及其制造方法、液晶显示屏有效
申请号: | 201410136950.7 | 申请日: | 2014-04-04 |
公开(公告)号: | CN103913916B | 公开(公告)日: | 2017-04-05 |
发明(设计)人: | 杨通;王国磊 | 申请(专利权)人: | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/12;H01L23/50;H01L21/84 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人: | 宋焰琴 |
地址: | 230012 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制造 方法 液晶显示屏 | ||
1.一种阵列基板,其包括:栅线、与所述栅线交叉设置的数据线、公共电极信号线以及由所述栅线和所述数据线划分出的多个像素,每个像素内包括驱动晶体管、与所述驱动晶体管的源极和漏极之一相连的像素电极以及与所述公共电极信号线电连接的公共电极,所述驱动晶体管的源极和漏极之另一个与所述数据线相连,所述公共电极信号线与所述栅线同层形成并与所述栅线同向延伸,其中,每个像素内还包括:与所述公共电极信号线同层形成并延所述数据线方向延伸的公共电极连通线,所述公共电极连通线与所述公共电极信号线以及所述公共电极电连接。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其中,所述公共电极连通线经由过孔和跳线连接下一行像素单元的公共电极信号线。
3.如权利要求2所述的液晶显示屏,其中,所述跳线与像素电极以相同材料同层形成。
4.如权利要求2所述的阵列基板,其中,所述跳线由辅助导电层和所述像素电极所在的层层叠而成。
5.如权利要求1所述的阵列基板,其中,所述栅线采用金属或金属化合物材料制成。
6.如权利要求5所述的阵列基板,其中,所述栅线采用钕化铝、铝、铜、钼、钨化钼、或铬中的一种或多种的组合制成。
7.如权利要求1所述的阵列基板,其中,所述公共电极和像素电极层采用铟锌氧化物和铟锡氧化物中的一种或两种的组合制成。
8.如权利要求1所述的阵列基板,其中,所述导电层为金属层或低电阻率导电层。
9.一种液晶显示屏,其包括如权利要求1~8之任一项所述的阵列基板。
10.一种阵列基板的制作方法,其包括:
在基板上形成多个公共电极;
在形成有公共电极的基板上沉积栅极层,并对其进行刻蚀形成栅极图形;其中,栅极图形包括栅线、公共电极信号线以及公共电极连通线;其中,所述公共电极信号线与所述栅线同向延伸,所述公共电极连通线、所述公共电极信号线以及公共电极分别电连接;
依次沉积有源层、源漏极层、钝化层和像素电极层,并进行相应刻蚀形成多个驱动晶体管、与所述栅线交叉设置的数据线、多个与所述驱动晶体管的源极和漏极之一相连的像素电极;所述驱动晶体管的源极和漏极之另一个与所述数据线相连;
其中,所述多个驱动晶体管、多个所述像素电极以及多个所述公共电极构成多个像素,所述公共电极连通线延所述数据线方向延伸。
11.一种阵列基板的制作方法,其包括:
在基板上形成公共电极;
在形成有公共电极的基板上沉积栅极层,并对其进行刻蚀形成栅极图形;其中,栅极图形包括栅线、公共电极信号线以及公共电极连通线;其中,所述公共电极信号线与所述栅线同向延伸,所述公共电极连通线、所述公共电极信号线以及公共电极分别电连接;
依次沉积有源层、源漏极层和钝化层,并进行相应刻蚀形成多个驱动晶体管以及与所述栅线交叉设置的数据线,所述驱动晶体管的源极和漏极之一与所述数据线相连;
沉积导电层,刻蚀形成连接所述过孔区域和对应下一行像素单元的公共电极信号线的第一层跳线;
沉积像素电极层,并刻蚀形成像素电极层图形;其中,所述像素电极层图形包括与第一层跳线完全重合的第二层跳线以及多个与所述驱动晶体管的源极和漏极之另一个相连的像素电极;
其中,所述多个驱动晶体管、多个所述像素电极以及多个所述公共电极构成多个像素,所述公共电极连通线延所述数据线方向延伸。
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