[发明专利]一种倒装芯片堆叠封装结构及封装方法

说明书

技术领域

本发明涉及微电子行业基板封装技术领域，具体涉及一种倒装芯片堆叠封装结构及封装方法。

背景技术

Flip chip又称倒装芯片，是在I/O pad（信号接口）上沉积锡铅球，然后将芯片翻转加热利用熔融的锡铅球与基板相结合。此技术替换常规打线接合，逐渐成为未来的封装主流，与板上芯片封装COB（Chip on Board）相比，该封装形式的芯片结构和I/O端（锡球）方向朝下，由于I/O引出端分布于整个芯片表面，故在封装密度和处理速度上Flip chip已达到顶峰，特别是它可以采用类似SMT技术的手段来加工，因此是芯片封装技术及高密度安装的最终方向。

另一方面，当前半导体封装发展的趋势是越来越多的向高频、多芯片模块(MCM)方向发展。集成不同功能芯片而成的系统集成(SiP)封装将成为主流发展趋势，所占的市场份额也逐年增加。倒装芯片由于其I/O pad向下并直接与基板连接，从而导致不同功能芯片之间的连接不能在封装体的高度方向上面发展，只能将各个功能芯片平行分布在基板的表面上面，再通过基板的内部走线完成信号的连接。 

事实上，由于对封装外形尺寸的限制，在一个封装体内放入不同功能模块的封装体（芯片或者塑封好的package），封装体外形尺寸不可能做的很大，因此，芯片在高度方向的堆叠是一个大的趋势。

当前多个倒装芯片的SIP封装一般采用各个芯片平铺在基板的一个表面，通过焊球将I/O面向下的倒装芯片与pad面向上的基板相连接，实现信号的互通。再进行底填和塑封，最后焊接锡球。 在这种封装中并没有进行芯片堆叠操作，塑封晚的封装体尺寸也较大。图1是传统倒装芯片的SIP封装的示意图。

   见图1，多个芯片2设置在封装基板1上，其具有如下缺点，

1），由于多个芯片在平面方向上面平行的平铺开来，封装体的尺寸会比较大，不适应当前向小型化封装的发展趋势。 

2），由于多个芯片在方向上只处于封装基板的一面，结构不平衡，容易产生结构内部应力的集中，从而导致结构产生翘曲和内部芯片的碎裂。 

3），对于传统倒装芯片封装结构，芯片采用焊球方式与基板进行连接。由于各个封装体之间的间隙较小，且注塑料需要流经的路程较远，传统塑封材料不能直接将这些间隙填充满。 现有的技术往往是在堆叠完芯片的时候，在层与层之间用底填料进行填充，以使其排出空气，最后再进行整体塑封，底填工艺的增加，提高了工艺步骤，降低了成品率，提高了最终的成本。

发明内容

针对上述问题，本发明提供了一种倒装芯片堆叠封装结构，实现了芯片在基板上的多层堆叠，保证了完成整个封装后结构的平衡，有效避免了封装结构的翘曲和内部芯片的碎裂，同时减小了注塑料需要流经的路程，提高产品可靠性，本发明同时还提供了一种倒装芯片堆叠封装结构的封装方法。

其技术方案如下： 

一种倒装芯片堆叠封装结构，其包括PCB基板， PCB基板上设置有窗口， PCB基板上封装有多层芯片，多层芯片间通过第一焊球、焊盘连接，多层芯片中上层芯片的长度长于多层芯片中下层芯片的长度，多层芯片中的下层芯片套装在窗口内，多层芯片中上层芯片与PCB基板间通过第二焊球、焊盘连接，PCB基板上与第二焊球对应面设置有第三焊球，所述上层芯片与所述下层芯片通过塑封材料连接PCB基板，成型塑封结构，形成对芯片的密封。

一种倒装芯片堆叠封装结构的封装方法，其包括以下步骤：

（1）、芯片表面生成再分布层RDL（Redistribution Layer）层；

（2）、芯片RDL层上面植球；

（3）、制造基板结构，在PCB设计过程中，预先留出开窗位置。在PCB制造过程中，将这些开窗位置进行开窗处理；

（4）、上层芯片贴装，完成芯片与基板之间的电学及物理连接；

（5）、下层芯片贴装，完成芯片与芯片之间的电学及物理结构连接；

（6）、整体塑封，形成环境保护；

（7）、器件植球，形成信号回路。 

其进一步特征在于，步骤（1）中，在封装设计过程中，预先将芯片上的实际的pad（焊盘）位置通过RDL工艺转移到相应的位置；

     步骤（5）中，在PCB基板开窗位置，运用焊球将上层芯片与下层芯片进行电学及物理结构上的连接，下层芯片上面的焊接pad焊盘向上，面向上层芯片面；

步骤（6）中，采用上下模分离的模具结构，将整个结构一并塑封起来，实现一次塑封整体结构；