[发明专利]铜柱凸点结构及成型方法有效
| 申请号: | 201410135780.0 | 申请日: | 2014-04-04 |
| 公开(公告)号: | CN103943578B | 公开(公告)日: | 2017-01-04 |
| 发明(设计)人: | 李昭强;戴风伟;于大全 | 申请(专利权)人: | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/485 | 分类号: | H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司: | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)32104 | 代理人: | 殷红梅 |
| 地址: | 214135 江苏省无锡市新区太湖国*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 铜柱凸点 结构 成型 方法 | ||
1. 一种铜柱凸点结构,包括基底(1)及位于所述基底(1)上的绝缘层(2);其特征是:所述绝缘层(2)上设有金属焊盘(3),所述金属焊盘(3)的外圈设有介质层(4),所述介质层(4)覆盖在绝缘层(2)上,并覆盖在金属焊盘(3)的外圈边缘;金属焊盘(3)的正上方设有铜柱(8),所述铜柱(8)的底部通过种子层(6)与金属焊盘(3)及介质层(4)接触,且种子层(6)覆盖铜柱(8)的外侧壁;在铜柱(8)的顶端设有焊料凸点(9)。
2.根据权利要求1所述的铜柱凸点结构,其特征是:所述铜柱(8)呈圆柱形或T型。
3.一种铜柱凸点结构的成型方法,其特征是,所述铜柱凸点成型方法包括如下步骤:
(a)、提供具有绝缘层(2)的基底(1),并在所述基底(1)的绝缘层(2)上设置所需的金属焊盘(3);
(b)、在上述绝缘层(2)上设置介质层(4),所述介质层(4)覆盖在绝缘层(2)及金属焊盘(3)上;选择性地掩蔽和刻蚀所述介质层(4),以在金属焊盘(3)的正上方形成第一窗口(10),通过第一窗口(10)裸露金属焊盘(3);
(c)、在上述介质层(4)上涂布光刻胶层(5),并对所述光刻胶层(5)图形化,以在所述金属焊盘(3)的正上方形成第二窗口(11),所述第二窗口(11)与第一窗口(10)相连通;
(d)、在上述光刻胶层(5)上设置种子层(6),所述种子层(6)覆盖在光刻胶层(5)、介质层(4)及金属焊盘(3)上;
(e)、在上述种子层(6)上设置干膜层(7),并对所述干膜层(7)图形化,以在所述金属焊盘(3)的正上方形成第三窗口(12),所述第三窗口(11)与第二窗口(12)相连通;
(f)、利用上述窗口在金属焊盘(3)的正上方电镀铜柱(8),所述铜柱(8)的底部通过种子层(6)与金属焊盘(3)及介质层(4)相接触,铜柱(8)的侧壁通过种子层(6)与光刻胶层(5)相接触;
(g)、在上述铜柱(8)上设置焊料凸点(9),所述焊料凸点(9)支撑在铜柱(8)上,焊料凸点(9)的侧壁与干膜层(7)相接触;
(h)、去除上述干膜层(7);
(i)、去除上述光刻胶层(5)上的种子层(6),以使得光刻胶层(5)的顶端裸露;
(j)、去除上述介质层(4)上的光刻胶层(5),得到外壁包裹有种子层(6)的铜柱(8);
(k)、对焊料凸点(9)进行回流。
4.根据权利要求3所述铜柱凸点结构的成型方法,其特征是:所述绝缘层(2)包括氧化硅或氮化硅。
5.根据权利要求3所述铜柱凸点结构的成型方法,其特征是:所述种子层(6)为Ti/Cu。
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