[发明专利]具有信噪比增强的晶粒隔离初始层和交换中断层的垂直记录介质

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求2013年4月4日提交的题为“PERPENDICULARRECORDING MEDIA WITH NEW GRAIN ISOLATION INITIATIONLAYER AND/OR EXCHANGE BREAKING LAYER FOR SIGNAL TONOISE RATIO ENHANCEMENT（具有信噪比增强的新的晶粒隔离初始层和/或交换中断层的垂直记录介质）”的美国临时专利申请No.61/808561的优先权和权益，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明的各种方面涉及磁记录介质，并且更具体地，涉及垂直磁记录（PMR）介质的晶粒隔离初始层和交换中断层。

背景技术

垂直磁记录（PMR）介质已经被用于增加磁存储介质的面记录密度。PMR介质堆栈通常包括（按顺序）基板、反铁磁性耦合的软磁垫层（AFC-SUL）、籽晶层、中间层、晶粒隔离初始层（grain isolation initiation layer，GIIL）和磁性层堆栈。磁性层堆栈包括由若干交换中断层（EBL）或交换控制层（ECL）分隔的若干磁性层。GIIL能够增强磁性层的磁解耦，并且EBL有助于降低PMR介质堆栈整体的矫顽力（Hc）和饱和场（Hs）。磁性层的晶粒间磁耦合的降低是可取的，这是因为其能够改善PMR介质堆栈的信噪比（SNR）。

发明内容

附图说明

图1是示出根据本发明实施例的具有提供改善的信噪比（SNR）的CoCrRu氧化物GIIL的垂直磁记录（PMR）介质堆栈的示意图。

图2是示出根据本发明实施例的包括具有改善的晶粒隔离的CoCrRu氧化物交换中断层（EBL）的PMR介质堆栈的示意图。

图3是示出根据本发明实施例的基于作为GIIL厚度的函数的矫顽力，对包括CoCrRu氧化物GIIL的PMR介质堆栈和包括CoCr氧化物GIIL的PMR介质堆栈进行比较的曲线图。

图4是示出根据本发明实施例的分别包括CoCr氧化物GIIL和CoCrRu氧化物GIIL的PMR介质堆栈的SNR-2T相对磁写入宽度（MWW）的比较的曲线图。

图5是示出根据本发明的实施例的分别包括CoCr氧化物GIIL和CoCrRu氧化物GIIL的PMR介质堆栈的SNR-1T相对MWW的比较的曲线图。

图6是示出根据本发明的实施例的具有CoCr氧化物GIIL的PMR介质堆栈与具有CoCrRu氧化物GIIL的PMR介质堆栈之间的反向重写（OW2）相对MWW的比较的曲线图。

图7是示出根据本发明的实施例的具有CoCr氧化物GIIL的PMR介质堆栈与具有CoCrRu氧化物GIIL的PMR介质堆栈之间的磁道上的加权总和SNR（wsSNR_init）相对相邻磁道wsSNR（wsSNR_final）的比较的曲线图。

图8是示出根据本发明的实施例的具有CoCr氧化物EBL的PMR介质堆栈与具有CoCrRu氧化物EBL的PMR介质堆栈之间的wsSNR_init相对MWW的比较的曲线图。

图9是示出根据本发明的实施例的具有CoCr氧化物EBL的介质堆栈和具有CoCrRu氧化物EBL的PMR介质堆栈的wsSNR_final相对MWW的比较的曲线图。

图10是示出根据本发明的实施例的具有CoCr氧化物EBL的PMR介质堆栈与具有CoCrRu氧化物EBL的PMR介质堆栈之间的饱和场相对矫顽力的比较的曲线图。

图11是示出根据本发明的实施例的具有CoCr氧化物EBL的PMR介质堆栈与具有CoCrRu氧化物EBL的PMR介质堆栈的OW2相对MWW的比较的曲线图。

图12是示出根据本发明实施例的包括PMR介质堆栈的硬盘驱动器的概念性视图。

图13示出根据本发明的实施例的制造具有CoCrRu氧化物GIIL的垂直磁记录介质堆栈的方法流程图。

具体实施方式

磁性层的晶粒间磁耦合的降低对于改善垂直磁记录（PMR）介质的信噪比（SNR）是关键挑战。在本发明的各种方面，提供了具有改善的SNR的交换耦合的复合介质（exchange coupled composite media，ECC）的PMR介质堆栈及其制造方法。