[发明专利]具有信噪比增强的晶粒隔离初始层和交换中断层的垂直记录介质

权利要求书

1.一种垂直磁记录介质堆栈，即PMR介质堆栈，其包括：

基板；

所述基板上的软垫层；

安置在所述软垫层上的隔层；

安置在所述隔层上的晶粒隔离初始层，即GIIL，所述GIIL包括CoCrRu氧化物；

安置在所述GIIL上的磁性层；和

安置在所述磁性层上的交换中断层，即EBL。

2.根据权利要求1所述的PMR介质堆栈，其中所述PMR介质堆栈是交换耦合的复合介质。

3.根据权利要求1所述的PMR介质堆栈，其中所述GIIL包括约10到25原子百分比的TiO₂和约10到40原子百分比的Ru。

4.根据权利要求1所述的PMR介质堆栈，其中所述磁性层包括CoPtX氧化物合金，其中X选自包括Cr、Ru和B的组，而所述氧化物选自包括TiO₂、SiO₂、Cr₂O₃和B₂O₃的组。

5.根据权利要求1所述的PMR介质堆栈，其中所述隔层包括Ru。

6.根据权利要求1所述的PMR介质堆栈，其中所述基板包括选自包含Al-Mg和玻璃的组中的材料。

7.根据权利要求1所述的PMR介质堆栈，其中所述软垫层包括反铁磁性耦合的软磁垫层。

8.根据权利要求1所述的PMR介质堆栈，其中所述磁性层包括多个磁性层，并且所述EBL包括多个EBL，所述磁性层和所述EBL交替排列。

9.根据权利要求1所述的PMR介质堆栈，其中所述EBL包括CoCrRu氧化物。

10.根据权利要求1所述的PMR介质堆栈，其中所述EBL包括CoCrRu氧化物，并且其中所述GIIL包括选自包含CoCrRu氧化物和CoCr氧化物的组中的材料。

11.根据权利要求10所述的PMR介质堆栈，其中所述EBL包括多个EBL，其中所述多个EBL中的两个包括不同的材料。

12.根据权利要求11所述的PMR介质堆栈，其中所述多个EBL的第一EBL包括所述CoCrRu氧化物，而所述多个EBL的第二EBL包括CoCr氧化物。

13.根据权利要求12所述的PMR介质堆栈，其中所述第一EBL包括约10到25原子百分比的TiO₂和约10到40原子百分的Ru。

14.一种包括权利要求1的PMR介质堆栈的硬盘驱动器。

15.一种制造垂直磁记录介质堆栈即PMR介质堆栈的方法，所述方法包括：

在基板上形成软垫层；

形成安置在所述软垫层上的隔层；

形成安置在所述隔层上的晶粒隔离初始层，即GIIL，所述GIIL包括CoCrRu氧化物；

形成安置在所述GIIL上的磁性层；以及

形成安置在所述磁性层上的交换中断层，即EBL。

16.根据权利要求15所述的方法，其中所述PMR介质堆栈是交换耦合的复合介质。

17.根据权利要求15所述的方法，其中所述GIIL包括约10到25原子百分比的TiO₂和约10到40原子百分比的Ru。

18.根据权利要求15所述的方法，其中所述磁性层包括CoPtX氧化物合金，其中X选自包括Cr、Ru和B的组，而所述氧化物选自包括TiO₂、SiO₂、Cr₂O₃和B₂O₃的组。

19.根据权利要求15所述的方法，其中所述隔层包括Ru。

20.根据权利要求15所述的方法，其中所述基板包括选自包含Al-Mg和玻璃的组中的材料。

21.根据权利要求15所述的方法，其中所述软垫层包括反铁磁性耦合的软磁垫层。