[发明专利]更换机台上化学制剂的方法及系统有效
申请号: | 201410134558.9 | 申请日: | 2014-04-03 |
公开(公告)号: | CN104979233B | 公开(公告)日: | 2018-07-10 |
发明(设计)人: | 尹浩;马擎;张健;郭伟凯 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(天津)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 俞涤炯 |
地址: | 300385 天津*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 化学制剂 数据集合 属性信息 器皿 报警信息 控制系统 更换机 槽位 机台 数据库存储 条形码信息 报警数据 比对模块 第一数据 实时收集 信息更换 有效报警 输出 高效性 预置 抽空 数据库 存储 集合 更新 保证 | ||
本发明公开了一种更换机台上化学制剂的方法,通过一EAP系统实时收集机台上的报警信息,并按照预先设定的规则从报警信息中提取化学制剂的有效报警信息得到第三数据集合,将该第三数据集合存储至所述数据库中后,一控制系统根据数据库存储的第三数据集合,从第二数据集合中提取待更换化学制剂槽位的属性信息,并根据该待更换化学制剂槽位的属性信息从第一数据集合中提取并输出待更换器皿的属性信息,然后根据该控制系统输出的具体信息更换化学制剂,且在更换化学制剂时,采用一比对模块比对待更换器皿和被抽空的预置器皿的更新条形码信息,从而能准确和及时地收集报警数据,保证了机台化学制剂更换的高效性和准确性。
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种更换机台上化学制剂的方法及系统。
背景技术
集成电路的制造流程极其复杂,通常要用到许多化学制剂,以六甲基二硅氮甲烷化学制剂(Hexamethyldisilazane,简称HMDS)为例,黄光区(Litho)的光刻工艺(Photolithography)是集成电路制造的核心,在光刻工艺中有一项重要的涂胶工艺。在该涂胶工艺中,所用到的光刻胶大部分都具有疏水性,而晶片表面的羟基和残留的水分子则具有亲水性。为了解决在晶片表面直接旋涂光刻胶会由于光刻胶和晶片的粘合性较差,可能造成局部的间隙或气泡,从而可能影响光刻和显影效果的问题,因此,涂胶工艺中引入了HMDS化学制剂涂到硅片表面,通过加温可反应生成以硅氧烷为主体的化合物,该化合物实际上是一种表面活性剂,可以成功地将硅片表面由亲水变为疏水,其疏水基可很好地与光刻胶结合,起到耦合的作用,且在后续的显影的过程中,由于该化学制剂增强了光刻胶与基底的粘附力,从而有效地抑制刻蚀液进入掩膜与基底的侧向刻蚀。
目前,HMDS化学制剂通常装在一个特殊的瓶子中,和光刻胶(Photoresist)等化学制剂存储在专门的柜子中,需要使用时拿到机台的特殊管道上连接供机台抽取使用,当瓶子中的HMDS抽光了之后机台会报警提示更换一瓶新的化学制剂。集成电路制造过程中需要频繁的更换HMDS,而六甲基二硅胺(HMDS)是黄光区最毒的化学制剂,更换过程中需要严格核实HMDS名称、批次、有效期、瓶号等信息,如果更换错误或更换不及时,会导致严重的问题产生。因此如何有效的管理和更换,确保正确及时的使用HMDS,对先进的晶圆厂生产至关重要。
现在HMDS粘合剂的瓶子上有一个原始的条形码(barcode),包含有粘合剂名称,批次号,有效期,原始序列号。当机台上正在使用的HMDS抽取光了之后,机台会产生报警确认HMDS被抽空了,然后人为的查看正在使用的HMDS相关信息和在HMDS储存柜中挑选合适的一瓶更换。在此过程中面临两个主要问题:
1)由于黄光区有很多机台,很容易导致无法听到报警声,导致HMDS延迟更换以及漏换;
2)在核对需要的HMDS时出现错误,导致更换错误,例如拿成了其他的化学制剂,或是拿了错误批次等会导致严重的问题。
因此,如何解决现在黄光区的HMDS粘合剂以及其他化学制剂的更换问题成为本领域技术人员致力研究的方向。
发明内容
针对上述存在的问题,本发明公开一种更换机台上化学制剂的方法及系统,以克服现有技术中人为的根据机台的报警声核对需要的化学制剂进行更换容易出现错误,导致更换错误的问题。
为了实现上述目的,本申请记载了一种更换机台上化学制剂的方法,应用于设置有若干槽位的机台上,且每个所述槽位上均预置有一盛放有化学制剂的器皿,所述方法包括如下步骤:
对应每个槽位均提供若干盛放有相应化学制剂的待用器皿;
将包含有待用器皿属性信息的第一数据集合和包含有槽位属性信息的第二数据集合均存储至一数据库中;
利用一EAP系统实时收集所述机台上的报警信息,并按照预先设定的规则从所述报警信息中提取化学制剂的有效报警信息得到第三数据集合,将该第三数据集合存储至所述数据库中;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(天津)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(天津)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造