[发明专利]带测试模式的电源管理芯片在审

专利信息
申请号: 201410134256.1 申请日: 2014-04-03
公开(公告)号: CN103888114A 公开(公告)日: 2014-06-25
发明(设计)人: 王钊 申请(专利权)人: 无锡中星微电子有限公司
主分类号: H03K17/22 分类号: H03K17/22;G06F1/26
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人: 朱小兵
地址: 214135 江苏省无锡市无锡*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 测试 模式 电源 管理 芯片
【权利要求书】:

1.带测试模式的电源管理芯片,包括输出引脚及与该输出引脚相连的功能电路,其特征在于:所述电源管理芯片还包括与功能电路输出端连接的检测电路,所述检测电路基于所述输出引脚上的电压确定是否需要使得电源管理芯片进入测试模式。

2.根据权利要求1所述的带测试模式的电源管理芯片,其特征在于:所述检测电路将所述输出引脚上的电压与阈值电压相比较,在所述输出引脚上的电压大于阈值电压时,输出有效的测试模式信号,否则,检测电路输出无效的测试模式信号。

3.根据权利要求2所述的带测试模式的电源管理芯片,其特征在于:所述功能电路通过输出引脚向外界输出信号,该信号的最高电压低于阈值电压,阈值电压与该信号最高电压的差值至少为0.7V。

4.根据权利要求1或2或3所述的带测试模式的电源管理芯片,其特征在于:在功能电路输出端与输出引脚之间连接有限流电阻。

5.根据权利要求1或2或3所述的带测试模式的电源管理芯片,其特征在于:所述检测电路包括第一PMOS管以及电流源;

第一PMOS管源极以及衬底均连接至功能电路输出端;

第一PMOS管栅极接控制电压,该控制电压为功能电路通过输出引脚向外界输出的信号的最高电压;

第一PMOS管漏极为所述检测电路的输出端,经电流源接地。

6.根据权利要求1或2或3所述的带测试模式的电源管理芯片,其特征在于:所述检测电路为正输入端接功能电路输出端,负输入端接阈值电压的比较器,比较器的输出端为检测电路的输出端。

7.根据权利要求1或2或3所述的带测试模式的电源管理芯片,其特征在于:所述功能电路是复位驱动电路,此时所述输出引脚为复位输出管脚。

8.根据权利要求7所述的带测试模式的电源管理芯片,其特征在于:所述复位驱动电路包括NMOS管以及第二PMOS管,

所述第二PMOS管,其衬底所接电压高于其源极所接电压;

所述NMOS管的源极以及衬底均接地;

所述第二PMOS管栅极与NMOS管栅极连接在一起作为复位驱动电路的输入端,所述NMOS管漏极与第二PMOS管漏极连接在一起作为复位驱动电路的输出端。

9.调节权利要求2或3所述带测试模式的电源管理芯片为测试模式的方法,其特征在于:在希望使得所述电源管理芯片进入测试模式时,将一个幅值高于阈值电压的电压源连接至所述输出引脚。

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