[发明专利]一种有机电致发光器件及其制备方法在审
申请号: | 201410133286.0 | 申请日: | 2014-04-03 |
公开(公告)号: | CN104979489A | 公开(公告)日: | 2015-10-14 |
发明(设计)人: | 周明杰;冯小明;张娟娟;王平 | 申请(专利权)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56 |
代理公司: | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
地址: | 518000 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 有机 电致发光 器件 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及电子器件相关领域,尤其涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术
有机电致发光器件(OLED)具有主动发光、发光效率高、功耗低、轻、薄、无视角限制等优点,被业内人士认为是最有可能在未来的照明和显示器件市场上占据霸主地位的新一代器件。作为一项崭新的照明和显示技术,OLED技术在过去的十多年里发展迅猛,取得了巨大的成就。由于全球越来越多的照明和显示厂家纷纷投入研发,大大的推动了OLED的产业化进程,使得OLED产业的成长速度惊人,目前已经到达了大规模量产的前夜。
柔性产品是有机电致发光器件的发展趋势,但是柔性OLED发光装置也存在一些问题,典型的问题是其使用寿命较短,其原因在于,使用柔性基板的OLED发光装置,基板的水氧渗透率过高,导致水氧容易渗入器件中,影响使用。并且由于封装薄膜采用无机材料制备,其韧性较差,在多次挠曲下,容易发生裂纹和针孔,从而形成水氧渗入的通道,因而影响使用寿命。
发明内容
为克服上述现有技术的缺陷,本发明提供了一种有机电致发光器件及其制备方法。该有机电致发光器件中的阻挡功能层可有效地减少水汽、氧对有机电致发光器件的侵蚀,保护有机电致发光器件的有机功能材料和电极免遭破坏,封装层同时包括第二无机阻挡层和第二有机消气剂层,能减少裂纹和针孔的产生,提高有机电致发光器件的挠曲性能,对OLED器件的寿命有显著的提高。
一方面,本发明提供了一种有机电致发光器件,包括依次层叠的基板、阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层、阴极层和封装层,在所述基板与阳极之间层叠有阻挡功能层,所述阻挡功能层包括m层第一无机阻挡层和m-1层第一有机消气剂层,所述m为3~8的整数,相邻两个第一无机阻挡层之间设置一个第一有机消气剂层,且所述第一无机阻挡层层叠在所述基板上;所述封装层包括n层第二无机阻挡层和n-1层第二有机消气剂层,所述n为3~8的整数,相邻两个第二无机阻挡层之间设置一个第二有机消气剂层,所述第一无机阻挡层和第二无机阻挡层的材质均为二氧化硅(SiO2)或氧化铝(Al2O3),所述第一有机消气剂层和第二有机消气剂层的材质均为二(3-甲基丁基)铍。
所述二(3-甲基丁基)铍的化学式为
优选地,所述m为3或4。
优选地,所述第一无机阻挡层的厚度为100~300nm,所述第一有机消气剂层的厚度为50~100nm。
优选地,所述阻挡功能层的厚度为0.4~1.5μm。
优选地,所述n为3或4。
优选地,所述第二无机阻挡层的厚度为100~300nm,所述第二有机消气剂层的厚度为100~200nm。
优选地,所述封装层的厚度为0.5~1.5μm。
在所述基板表面设置阻挡功能层,所述阻挡功能层包括m层第一无机阻挡层和m-1层第一有机消气剂层,第一无机阻挡层吸水性较强,第一有机消气剂层的材质为二(3-甲基丁基)铍,二(3-甲基丁基)铍比较活泼,可以和渗入器件内部的气体特别是氧气进行化学反应,从而避免了氧气对OLED中的有机材料尤其是发光材料的破坏,所述阻挡功能层可以避免水氧通过基板渗透到有机电致发光器件的发光层,提高可有机电致发光器件的寿命。同时,所述阻挡功能层在相邻两个第一无机阻挡层之间设置一个第一有机消气剂层,第一有机消气剂层可以有效缓解第一无机阻挡层在进行挠曲操作时产生的内应力,减少了裂纹和孔隙的产生,因而可以提高有机电致发光器件的挠曲性能。
所述封装层包括n层第二无机阻挡层和n-1层第二有机消气剂层,相邻两个第二无机阻挡层之间设置一个第二有机消气剂层,这样设置一方面可以有效缓解第二无机阻挡层产生的内应力,防止第二无机阻挡层出现龟裂等现象,减小对封装效果的影响,另一方面,延长了水、氧渗透路径,可以达到优良的封装效果,有效减少外部水、氧等活性物质对有机电致发光器件的侵蚀,延长器件寿命。
优选地,所述基板为聚合物透明薄膜。
更优选地,所述基板为PET薄膜(聚乙烯对苯二酸酯)、PES(聚醚砜)薄膜、PC(聚碳酸酯)薄膜或PI(聚酰亚胺)薄膜,所述基板厚度为0.1~0.5mm。
优选地,所述阳极为氧化铟锡(ITO)。
优选地,所述空穴传输层材质为N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)或4,4',4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA),厚度为20~60nm。
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