[发明专利]一种有机电致发光器件及其制备方法

权利要求书

1.一种有机电致发光器件，包括依次层叠的基板、阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层、阴极层和封装层，其特征在于，在所述基板与阳极之间层叠有阻挡功能层，所述阻挡功能层包括m层第一无机阻挡层和m-1层第一有机消气剂层，所述m为3～8的整数，相邻两个第一无机阻挡层之间设置一个第一有机消气剂层，且所述第一无机阻挡层层叠在所述基板上；所述封装层包括n层第二无机阻挡层和n-1层第二有机消气剂层，所述n为3～8的整数，相邻两个第二无机阻挡层之间设置一个第二有机消气剂层；所述第一无机阻挡层和第二无机阻挡层的材质均为二氧化硅或氧化铝，所述第一有机消气剂层和第二有机消气剂层的材质均为二（3-甲基丁基）铍。

2.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述m为3或4。

3.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第一无机阻挡层的厚度为100～300nm，所述第一有机消气剂层的厚度为50～100nm。

4.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述n为3或4。

5.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第二无机阻挡层的厚度为100～300nm，所述第二有机消气剂层的厚度为100～200nm。

6.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）在洁净的基板表面制备阻挡功能层，包括：

在所述基板表面采用电子束蒸发的方法制备第一无机阻挡层，蒸发速度为0.2～1nm/s；接着在所述第一无机阻挡层表面采用真空蒸镀的方法制备第一有机消气剂层，蒸发速度为0.1～0.5nm/s；随后在所述第一有机消气剂层表面采用电子束蒸发的方法制备第一无机阻挡层，蒸发速度为0.2～1nm/s；按上述方法重复制备第一有机消气剂层和第一无机阻挡层，在洁净的基板表面制得阻挡功能层，所述阻挡功能层包括m层第一无机阻挡层和m-1层第一有机消气剂层，所述m为3～8的整数，相邻两个第一无机阻挡层之间设置一个第一有机消气剂层；

（2）在所述阻挡功能层表面依次制备阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极层；

（3）在所述阴极层表面制备封装层，包括：

在所述阴极层表面采用电子束蒸发的方法制备第二无机阻挡层，蒸发速度为0.2～1nm/s；接着在所述第二无机阻挡层表面采用真空蒸镀的方法制备第二有机消气剂层，蒸发速度为0.1～0.5nm/s；随后在所述第二有机消气剂层表面采用电子束蒸发的方法制备第二无机阻挡层，蒸发速度为0.2～1nm/s；按上述方法重复制备第二有机消气剂层和第二无机阻挡层，在所述阴极层表面制得封装层，所述封装层包括n层第二无机阻挡层和n-1层第二有机消气剂层，所述n为3～8的整数，相邻两个第二无机阻挡层之间设置一个第二有机消气剂层；

所述第一无机阻挡层和第二无机阻挡层的材质均为氧化硅或氧化铝，所述第一有机消气剂层和第二有机消气剂层的材质均为二（3-甲基丁基）铍。

7.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述m为3或4。

8.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述第一无机阻挡层的厚度为100～300nm，所述第一有机消气剂层的厚度为50～100nm。

9.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述n为3或4。

10.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述第二无机阻挡层的厚度为100～300nm，所述第二有机消气剂层的厚度为100～200nm。