[发明专利]芯片电子组件及其制造方法

权利要求书

1.一种芯片电子组件，包括：

磁体，包括绝缘基底；

内线圈部，形成在绝缘基底的至少一个表面上；以及

外电极，形成在磁体的端表面上并连接到内线圈部，

其中，绝缘基底包括桥接图案部，内线圈部没有形成在桥接图案部上，所述桥接图案部暴露于所述磁体的侧表面，以在所述芯片电子组件制造期间与相邻的芯片电子组件中的其他桥接图案部相连。

2.根据权利要求1所述的芯片电子组件，其中，桥接图案部暴露于磁体的彼此相对的两个侧表面。

3.根据权利要求1所述的芯片电子组件，其中，桥接图案部在磁体的宽度方向上暴露于磁体的彼此相对的两个侧表面。

4.根据权利要求1所述的芯片电子组件，其中，桥接图案部防止形成在绝缘基底上的内线圈部的变形。

5.根据权利要求1所述的芯片电子组件，其中，当绝缘基底的厚度定义为t并且磁体的使桥接图案部暴露的一个侧表面的长度定义为l时，桥接图案部的暴露于磁体的一个侧表面的表面的面积与面积t×l之比为0.02至0.88。

6.根据权利要求1所述的芯片电子组件，其中，绝缘基底包括形成在绝缘基底的中心部分中的通孔，通孔填充有磁性材料以形成核心部。

7.根据权利要求1所述的芯片电子组件，其中，绝缘基底是利用从包括聚丙二醇基底、铁素体基底和金属基软磁基底的组中选择的一种或更多种形成的。

8.一种芯片电子组件，包括：

磁体，包括绝缘基底，绝缘基底包含形成在绝缘基底的中心部分中的通孔；

内线圈部，形成在绝缘基底的两个表面上，并具有暴露于磁体的彼此相对的两个端表面的第一引线部分和第二引线部分；以及

第一外电极和第二外电极，形成在磁体的两个端表面上并且分别连接到内线圈部的第一引线部分和第二引线部分，

其中，绝缘基底包括在磁体的宽度方向上暴露于磁体的彼此相对的两个侧表面的桥接图案部，以在所述芯片电子组件制造期间与相邻的芯片电子组件中的其他桥接图案部相连，从而防止内线圈部的变形。

9.根据权利要求8所述的芯片电子组件，其中，当绝缘基底的厚度定义为t并且磁体的使桥接图案部暴露的一个侧表面的长度定义为l时，桥接图案部的暴露于磁体的一个侧表面的表面的面积与面积t×l之比为0.02至0.88。

10.根据权利要求8所述的芯片电子组件，其中，通孔填充有磁性材料以形成核心部。

11.根据权利要求8所述的芯片电子组件，其中，绝缘基底是利用从包括聚丙二醇基底、铁素体基底和金属基软磁基底的组中选择的一种或更多种形成的。

12.一种芯片电子组件的制造方法，所述制造方法包括下述步骤：

在绝缘基底的至少一个表面上形成内线圈部；

去除绝缘基底的未形成有内线圈部的部分；

在绝缘基底的包括内线圈部的上部和下部上堆叠磁性层，以形成磁体；以及

在磁体的端表面上形成外电极，以连接到内线圈部，

其中，在去除绝缘基底的未形成有内线圈部的部分的步骤中，仅去除所述部分中的一部分，以形成彼此相邻的内线圈部之间的桥接图案部。

13.根据权利要求12所述的制造方法，其中，桥接图案部暴露于磁体的彼此相对的两个侧表面。

14.根据权利要求12所述的制造方法，其中，桥接图案部在磁体的宽度方向上暴露于磁体的彼此相对的两个侧表面。

15.根据权利要求12所述的制造方法，其中，桥接图案部防止在堆叠磁性层以形成磁体时形成在绝缘基底上的内线圈部的变形。