[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、双面显示器件、单面显示器件

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、双面显示器件、单面显示器件。

背景技术

近年来，在半导体集成电路或平板显示器中，晶体管的电极、布线趋向于使用导电薄膜。导电薄膜具有低电阻特性，从而使得数字信号的传输速度加快，或者通过降低功率损失而降低功耗。

目前，半导体集成电路内的布线层导电薄膜主要采用磁控溅射工艺。然而磁控溅射工艺的设备成本高、功耗大。此外，采用磁控溅射工艺形成的导电薄膜具有这样的缺点：导电薄膜与基底层之间贴覆性差，且电阻较高。

发明内容

本发明的实施例的主要目的在于，提供一种成本低、功耗小、易于制备的薄膜晶体管及其制备方法、双面显示器件、单面显示器件

为达到上述目的，本发明采用如下技术方案：

本发明的第一方面提供了一种薄膜晶体管的制备方法，包括栅极的制备，所述栅极的制备包括：

将基板浸没于银氨溶液中，滴加还原试剂，通过银镜反应在所述基板的两个表面上均形成第一银膜；

使所述基板两个表面上的第一银膜均形成栅极。

可选的，所述方法还包括源极和漏极的制备，所述源极和漏极的制备包括：

将两个表面均形成有所述栅极、栅极绝缘层、有源层的所述基板浸没于银氨溶液中，滴加还原试剂，通过银镜反应在所述基板两侧的有源层上均形成第二银膜；

使所述基板两侧的所述第二银膜均分别形成源极和漏极。

可选的，所述方法还包括源极和漏极的制备，所述源极和漏极的制备包括：

将两个表面均形成有所述栅极、栅极绝缘层、有源层、接触层的所述基板浸没于银氨溶液中，滴加还原试剂，通过银镜反应在所述基板两侧的接触层上均形成第二银膜；

使所述基板两侧的所述第二银膜均分别形成源极和漏极。

可选的，所述还原试剂选自葡糖糖溶液、甲醛、乙醛和甲酸中的一种或几种。

进一步可选的，所述银氨溶液的配置包括：采用1～10wt%的AgNO₃溶液与1～10wt%的氨水溶液配置银氨溶液；或

所述还原试剂的浓度为：2～20wt%；或

控制所述银镜反应的pH为7～12；或

控制所述银镜反应的温度为50～80℃。

优选的，控制所述银镜反应的pH为9～10。

本发明的第二方面提供了一种薄膜晶体管的制备方法，包括栅极的制备，所述栅极的制备包括：

将基板浸没于银氨溶液中，滴加还原试剂，通过银镜反应在所述基板的两个表面上均形成第一银膜；

去除所述基板上一个表面上的第一银膜，保留所述基板上另一个表面上的第一银膜；

使保留的第一银膜形成栅极。

可选的，所述方法还包括源极和漏极的制备，所述源极和漏极的制备包括：

将形成有所述栅极、栅极绝缘层、有源层的所述基板浸没于银氨溶液中，滴加还原试剂，通过银镜反应在所述有源层上形成第二银膜；

使所述基板上的所述第二银膜分别形成源极和漏极。

可选的，所述方法还包括源极和漏极的制备，所述源极和漏极的制备包括：

将形成有所述栅极、栅极绝缘层、有源层的所述基板浸没于银氨溶液中，滴加还原试剂，通过银镜反应在所述有源层上形成第二银膜；

使所述基板两侧的所述第二银膜均分别形成源极和漏极。

可选的，所述还原试剂选自葡糖糖溶液、甲醛、乙醛和甲酸中的一种或几种。

进一步可选的，所述银氨溶液的配置包括：采用1～10wt%的AgNO₃溶液与1～10wt%的氨水溶液配置银氨溶液；或

所述还原试剂的浓度为：2～20wt%；或

控制所述银镜反应的pH为7～12；或

控制所述银镜反应的温度为50～80℃。

优选的，控制所述银镜反应的pH为9～10。

本发明的第三方面提供了一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管为根据本发明第一方面提供的薄膜晶体管的制备方法制备而成。

本发明的第四方面提供了一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管为根据本发明第二方面提供的薄膜晶体管的制备方法制备而成。

本发明的第五方面提供了一种单面显示器件，所述显示器件包括根据本发明第三方面提供的薄膜晶体管。

本发明的第六方面提供了一种双面显示器件，所述显示器件包括根据本发明第四方面提供的薄膜晶体管。