[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、双面显示器件、单面显示器件

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制备方法，包括栅极的制备，其特征在于，所述栅极的制备包括：

将基板浸没于银氨溶液中，滴加还原试剂，通过银镜反应在所述基板的两个表面上均形成第一银膜；

使所述基板两个表面上的第一银膜均形成栅极。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，还包括源极和漏极的制备，所述源极和漏极的制备包括：

将两个表面均形成有所述栅极、栅极绝缘层、有源层的所述基板浸没于银氨溶液中，滴加还原试剂，通过银镜反应在所述基板两侧的有源层上均形成第二银膜；

使所述基板两侧的所述第二银膜均分别形成源极和漏极。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，还包括源极和漏极的制备，所述源极和漏极的制备包括：

将两个表面均形成有所述栅极、栅极绝缘层、有源层、接触层的所述基板浸没于银氨溶液中，滴加还原试剂，通过银镜反应在所述基板两侧的接触层上均形成第二银膜；

使所述基板两侧的所述第二银膜均分别形成源极和漏极。

4.根据权利要求1-3任一项所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，

所述还原试剂选自葡糖糖溶液、甲醛、乙醛和甲酸中的一种或几种。

5.根据权利要求1-3任一项所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，

所述银氨溶液的配置包括：采用1～10wt%的AgNO₃溶液与1～10wt%的氨水溶液配置银氨溶液；或

所述还原试剂的浓度为：2～20wt%；或

控制所述银镜反应的pH为7～12；或

控制所述银镜反应的温度为50～80℃。

6.根据权利要求1-3任一项所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，

控制所述银镜反应的pH为9～10。

7.一种薄膜晶体管的制备方法，包括栅极的制备，其特征在于，所述栅极的制备包括：

将基板浸没于银氨溶液中，滴加还原试剂，通过银镜反应在所述基板的两个表面上均形成第一银膜；

去除所述基板上一个表面上的第一银膜，保留所述基板上另一个表面上的第一银膜；

使保留的第一银膜形成栅极。

8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，还包括源极和漏极的制备，所述源极和漏极的制备包括：

将形成有所述栅极、栅极绝缘层、有源层的所述基板浸没于银氨溶液中，滴加还原试剂，通过银镜反应在所述有源层上形成第二银膜；

使所述基板两侧的所述第二银膜均分别形成源极和漏极。

9.根据权利要求7所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，还包括源极和漏极的制备，所述源极和漏极的制备包括：

将形成有所述栅极、栅极绝缘层、有源层、接触层的所述基板浸没于银氨溶液中，滴加还原试剂，通过银镜反应在所述接触层上形成第二银膜；

使所述基板上的所述第二银膜分别形成源极和漏极。

10.根据权利要求7-9任一项所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，

所述还原试剂选自葡糖糖溶液、甲醛、乙醛和甲酸中的一种或几种。

11.根据权利要求7-9任一项所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，

所述银氨溶液的配置包括：采用1～10wt%的AgNO₃溶液与1～10wt%的氨水溶液配置银氨溶液；或

所述还原试剂的浓度为：2～20wt%；或

控制所述银镜反应的pH为7～12；或

控制所述银镜反应的温度为50～80℃。

12.根据权利要求7-9任一项所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，

控制所述银镜反应的pH为9～10。

13.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管为根据权利要求1-6任一项所述的薄膜晶体管的制备方法制备而成。

14.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管为根据权利要求7-12任一项所述的薄膜晶体管的制备方法制备而成。

15.一种单面显示器件，其特征在于，所述显示器件包括权利要求13所述的薄膜晶体管。

16.一种双面显示器件，其特征在于，所述显示器件包括权利要求14所述的薄膜晶体管。